DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7 产品概述

产品简介

DMP2035UVT-7 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为低电压、高效率的开关应用而设计。其额定漏源电压（V_dss）为 20V，具有优秀的电流承载能力，可支持最大连续漏极电流（I_d）为 6A，适用于各种领域的电源管理、负载开关及其他功率转换应用。

关键特性

1. 漏源电压（V_dss）: DMP2035UVT-7 的最大漏源电压为 20V，适合在低压环境中运行。
2. 漏极电流（I_d）: 在 25°C 的环境下，该器件可持续承载 6A 的电流，确保持久性和可靠性。
3. 导通电阻（R_ds(on)）: 在 4A 和 4.5V 的输入条件下，导通电阻达 35 毫欧，保证了低能耗和高效能。
4. 栅极阈值电压（V_gs(th)）: 栅极阈值电压为 1.5V，适合多种逻辑电平的驱动电路。
5. 驱动电压（V_gs）: 最大栅源电压为 ±12V，提高了在不同应用中的适应性。
6. 栅极电荷（Q_g）: 栅极电荷为 23.1nC，支持高速开关操作，减小开关损耗。
7. 输入电容（C_iss）: 在 10V 的条件下，输入电容最大值为 2400pF，优化了电路的响应时间。
8. 功率耗散: 该MOSFET 的最大功率耗散为 1.2W，适合中等功率的应用或作为强大的开关元件使用。
9. 优秀的工作温度范围: 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，保证了在极端环境下的长期稳定运行。

封装与安装

DMP2035UVT-7 采用 TSOT-26 表面贴装封装，具有小型化特性，适合空间受限的电子设备。该封装设计使得DMP2035UVT-7 在热管理和电气性能方面均表现出色，满足现代电子产品的严苛要求。

应用场景

DMP2035UVT-7 可广泛应用于如下领域：

• 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器和电源开关等。
• 负载开关: 可用于控制电源的启闭，适合LED驱动、马达控制等应用。
• 消费电子: 用于电视、电脑及各种家用电器的电源管理。
• 汽车电子: 在汽车内部电源管理中，尤其是在电池管理和负载控制方面的应用。

整体优势

DMP2035UVT-7 作为一款集成了众多优秀特性的 P 型沟道 MOSFET，非常适合低电压、高负载和高效率的应用场合。其低导通电阻、高电流承载能力、宽工作温度范围以及快速的开关特性，使其在现代电子产品中具有重要的应用价值。

总之，DMP2035UVT-7 是市场上可靠的、性能优异的 MOSFET 选择，能够满足各种先进电子设备对效率、稳定性和小型化的需求。