描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
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产品参数
属性参数值
封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
FET类型2N沟道（双）共漏
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型2 N 沟道（双）共漏
FET 功能标准
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.7A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）26 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）570pF @ 10V
功率 - 最大值890mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-TSSOP
产品概述：DMN2040LTS-13 N-MOSFET
一、基本信息
DMN2040LTS-13 是由 DIODES（美台）公司推出的一款高性能 N-MOSFET 晶体管，采用 TSSOP-8 封装。该器件设计用于各种低电压和高电流应用，适合用于开关电源、马达驱动、电源管理和类比信号处理等场景。借助其卓越的电气特性和可靠性，DMN2040LTS-13 在现代电子设计中表现出色。
二、主要规格
- 封装类型：8-TSSOP（0.173", 4.40mm 宽）
- FET 类型：2N 沟道（双）共漏 N-MOSFET
- 漏源极电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时最大 6.7A
- 瞬时最大漏极电流（Idm）：30A
- 导通电阻（Rds(on)）：最大 26 毫欧（6A @ 4.5V）
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大 1.2V（二极管带负载条件下 @ 250µA）
- 栅极电荷（Qg）：最大 5.2nC（4.5V）
- 输入电容（Ciss）：最大 570pF（10V）
- 功率最大值：890mW
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 安装类型：表面贴装（SMT）
三、电气特性分析
DMN2040LTS-13 的最大漏源极电压为 20V，使其适用于许多低电压应用。其连续漏极电流为 6.7A，而瞬时漏极电流可达到 30A，显示出其优越的电流处理能力。这对于需要高峰值电流的应用，例如电机启动或脉冲负载效应，十分重要。
导通电阻 26 毫欧 @ 6A 和 4.5V 的参数表明，DMN2040LTS-13 在充电和开关过程中能保持较低的功耗，这对于提高整体系统效率至关重要。另外，较低的栅极阈值电压（1.2V）使得该元器件能够在较低驱动电压下工作，确保了良好的兼容性，特别是在与逻辑电平兼容的微控制器或 DSP 连接时。
四、应用场景
DMN2040LTS-13 适合多种应用，包括但不限于：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于提高效率，减少能量损耗。
- 开关电源：满足高频开关操作要求，应用于 AC-DC 转换器中。
- 马达驱动：在电机控制器中提供高效的开关行为，允许精确控制电机速度和扭矩。
- 自动化设备：用于快速开关和调节电流，在传感器和执行器之间实现有效控制。
- 消费类电子：在各种小型便携设备中实现节能设计，延长电池使用寿命。
五、总结
整体来看，DMN2040LTS-13 是一款高效、可靠的 N-MOSFET 解决方案，适合需要低电压、大电流控制的复杂电子系统。其优异的电气性能、宽广的工作温度范围及较低的功耗特性，使其在现代电子应用中尤为出色。无论是在电源管理，还是在马达驱动和自动化领域，DMN2040LTS-13 均可为工程师提供有效且可靠的设计方案。通过采用该元器件，设计师可以在确保产品性能的同时，极大地提升能源利用效率，最终达到节能减排的目标。