DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7 产品概述

DMG5802LFX-7 是一款由美台电子（DIODES）公司生产的高性能双 N 沟道场效应管（MOSFET），专为实现高效的电能管理和开关控制而设计。该器件采用 W-DFN5020-6 表面贴装封装，具有优越的散热性能和可靠性，特别适合于空间受限的电路设计。

主要参数

1. 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压额定值为 24V，具备超越普通应用需求的电压支持能力，适合在高压电源电路中使用。

2. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该器件能够承受最大 6.5A 的连续漏极电流，这使其在处理高电流负载时表现出色。

3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): DMG5802LFX-7 的栅源极阈值电压为 1.5V @ 250µA，表明在较低的栅驱动电压下便可实现导通，非常适合与微控制器或其他逻辑电平设备直接连接。

4. 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 6.5A 和 4.5V 时，导通电阻的最大值为 15 毫欧，这显示出该 MOSFET 在实际工作时的低功耗特性，能够有效减少热量生成，提高电源效率。

5. 功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 980mW（在环境温度 25°C 时），适合多数中小功率的应用场合。

6. 工作温度范围: DMG5802LFX-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在严苛环境下的可靠性和稳定性，特别适合于汽车、工业和军事等应用。

7. 输入电容 (Ciss): 该器件的输入电容在 15V 时最大值为 1066.4pF，这意味着其在快速开关操作中的输出特性非常优越，能够支持高频率操作。

8. 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的条件下，栅极电荷值为 31.3nC，足以表明该 MOSFET 的切换速度快，适合需要高速开关的应用。

适用场景

DMG5802LFX-7 可广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于：

• 电源管理: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等电源管理电路。

• 汽车电子: 适合用于电动车辆及传统汽车的驱动控制和电源分配管理，能够在极端温度下稳定工作。

• 工业自动化: 在各类工业设备中，可用于电机驱动控制、阀门开关、和其它需要高可靠性的开关控制应用。

• 消费类电子: 适合各种小型家电、便携式设备中的电源开关和驱动应用，优化能效并提高使用寿命。

总结

DMG5802LFX-7 是一款功能强大且灵活的双 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气性能和稳定的工作特性，成为现代电子设计中不可或缺的重要元件之一。无论是在高功率、快速开关的应用还是在温度变化剧烈的环境中，该器件均能提供可靠的解决方案，为工程师在设计和开发过程中提供更大的便利和灵活性。