DMG4468LK3-13 产品概述
DMG4468LK3-13 是由美台（DIODES）公司生产的一款高性能N沟道MOSFET，专为广泛的功率管理应用而设计。该元器件具有卓越的电气特性和可靠的热性能，适用于各种电子产品中的开关和放大功能，尤其在高效电源转换和功率控制领域表现优异。
主要规格参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 9.7A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.95V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 16mΩ @ 11.6A, 10V
- 最大功率耗散: 1.68W（在环境温度25°C下）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: TO-252(也称为DPAK)
关键特性与优势
优秀的导电性能： DMG4468LK3-13在工作电流和电压下具有极低的漏源导通电阻（16mΩ@11.6A, 10V），这一特性使得其在低损耗和高效能的应用中非常受欢迎。低的导通电阻有助于减少发热并提高整体效率，使其在高频开关电源及电动机驱动器中表现更佳。
宽广的工作温度范围： 该题的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端环境下使用，确保其在工业和汽车等领域的可靠性与稳定性，能够应对各种严酷的工作条件。
良好的阈值特性： 栅源极阈值电压为1.95V的特性使得该MOSFET能够在较低的控制电压下被驱动。这种特性为开发成本低和电源效率高的电路设计提供了灵活性。
适于高频应用： DMG4468LK3-13具有较低的输入电容（867pF @ 15V），对于高频信号开关，其表现非常出色。这确保了其在快速开关应用中具备更低的延迟和更高的效率。
环保与封装优势： 采用TO-252封装形式，该MOSFET提供优良的热性能和且便于表面贴装。这种封装类型不仅有效节省了电路板空间，而且使得焊接更为简单，适应了现代电子制造的趋势。
多用途应用： 由于其优良的性能特征，该元器件被广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动、功率放大器及高频开关应用等场景，展现出高度的应用灵活性。
结论
DMG4468LK3-13是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻和高额定电流，展现出在功率控制和高效能电源管理方面的巨大潜力。其广泛的工作温度范围和优良的热特性，使其成为各种苛刻应用的理想选择，满足现代电子设计师对效率、可靠性及兼容性的高要求。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，DMG4468LK3-13都是您值得信赖的解决方案。