描述：场效应管(MOSFET) 310mW 20V 820mA 1个P沟道 SOT-323
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0.201
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0.127
3000+
0.1
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)820mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.05Ω@2.5V,300mA
功率(Pd)310mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)622.4pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)59.76pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)6.36pF@16V
工作温度-55℃~+150℃
DMG1013UW-7 产品概述
DMG1013UW-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，专为中等功率应用设计。该器件由 DIODES（美台）公司制造，采用 SOT-323 封装，具有出色的电气性能和广泛的工作温度范围，适用于各种电子电路的关键角色。
基础参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 820mA
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 750mΩ @ 430mA, 4.5V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 310mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: SOT-323
电气特性
DMG1013UW-7 的漏源电压为 20V，使其能够在中等电压环境中工作。其 25°C 时的连续漏极电流达到 820mA，适合许多低功耗应用。该器件的栅源极阈值电压为 1V，这使得它能够在较低的驱动电压下有效工作，提升了设计的灵活性。
导通时，DMG1013UW-7 提供更低的漏源导通电阻，最大值为 750mΩ。当漏极电流为 430mA 时，操作的电源电压为 4.5V。低的导通电阻可以减少功耗，提升能源效率，对于需要节能或工作时间较长的设备尤为重要。
驱动及控制特性
该 MOSFET 的驱动电压范围在 1.8V 到 4.5V 之间，使其可以与多种数字控制电路兼容。此外，栅极电荷 (Qg) 达到了 0.622nC @ 4.5V，这表明在开关状态之间切换时的能耗较低，从而提高了系统的响应速度和效率。
适用领域
DMG1013UW-7 特别适合用于以下应用场景：
- 低功耗便携设备: 由于其低导通电阻和优异的散热设计，适合于手机、笔记本电脑及其他便携电子设备的电源管理。
- 电机驱动: 在小型电机控制中，利用其高电流能力和稳健的性能。
- 开关电源: 结合其高频性能，适用于开关电源的开关元件。
- LED 驱动: 可用作 LED 驱动电路中的开关元件，提升发光二极管的工作效率及延长使用寿命。
结论
DMG1013UW-7 凭借其优越的性能参数、宽广的工作温度范围以及紧凑的 SOT-323 封装，成为了专业电路设计师的可靠选择。无论是在低功耗电子设备、LED 驱动，还是电机控制等领域，其出色的导电特性和低功耗表现都可以显著提升整体系统的效率。因此，DMG1013UW-7 是一款值得信赖的 P 沟道 MOSFET，适用于当前和未来各类电子产品的需求，是电子工程师设计电源管理方案时的理想选择。