描述：场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 6.5A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19.5mΩ@10A,10V
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@5V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
产品概述：SI7326DN-T1-GE3 N沟道MOSFET
引言
SI7326DN-T1-GE3 是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商VISHAY（威世）生产。该器件采用PowerPAK® 1212-8封装，适合于多种现代电子应用，特别是在电源管理和高频开关应用中表现出色。
基础参数
- 封装/外壳：PowerPAK® 1212-8
- 类型：N沟道MOSFET
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：6.5A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压：4.5V，10V（最大Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：最大19.5毫欧 @ 10A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大1.8V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大13nC @ 5V
- 最大栅源极电压（Vgs）：±25V
- 功率耗散（Pdmax）：1.5W（在环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（结温TJ）
性能特征
SI7326DN-T1-GE3的设计旨在提供卓越的电性能。其导通电阻（Rds On）在特定的Id和Vgs下保持在较低水平，使得其在高电流和高电压应用中运行效率较高。此外，低栅极电荷（Qg）和较低的阈值电压（Vgs(th)）使得MOSFET在开关速度和驱动效率方面表现优异，适合使用在高频开关转换器中。
应用场景
由于该MOSFET的广泛工作温度范围及高达1.5W的功率耗散能力，使其在电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动及汽车电子等应用中都有着极大的适用性。SI7326DN-T1-GE3不仅适合用于标准的消费电子类设备，还可在严苛环境下的工业设备中使用，充分满足高温和高负载条件下的需求。
可靠性与支持
VISHAY作为一家著名的半导体制造商，对其产品进行严格的质量控制，保障了SI7326DN-T1-GE3的长期稳定性和可靠性。此外，VISHAY提供详尽的技术文档和应用支持，帮助工程师更好地集成该MOSFET于其设计中，确保最终产品的性能和可靠性。
结论
SI7326DN-T1-GE3是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具有广泛的应用潜力和良好的电气特性。其特有的设计和制造工艺确保了其在各种条件下的长期稳定性，是现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是在高效能电源管理、快速开关控制或高温环境的耐受力，SI7326DN-T1-GE3都是设计师在选择MOSFET时的优先考量。