描述：场效应管(MOSFET) 5.9W 150V 2A 1个P沟道 SOIC-8
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)295mΩ@10V,4A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)23.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.19nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)42pF@50V
工作温度-55℃~+150℃
SI4455DY-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SI4455DY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），由威世半导体（VISHAY）生产。该器件专为高压和中等功率的电子应用而设计，具有150V的漏源电压能力和2A的连续漏极电流能力。它的优秀特性使其在工业控制、开关电源、驱动电路以及其他要求低导通损耗和高效率的应用中表现出色。
2. 关键参数
- FET 类型：P通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：150V
- 连续漏极电流（Id）：2A（25°C 时）
- 驱动电压：6V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
- 导通电阻：在4A和10V时，导通电阻最大值为295毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA 条件下，最大值为4V
- 栅极电荷（Qg）：在10V时，最大值为42nC
- 栅极到源极最大电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss）：在50V时，最大值1190pF
- 功率耗散：最大值为5.9W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
3. 应用领域
SI4455DY-T1-GE3 MOSFET 的设计目标是满足多种苛刻环境下的要求，适用于多个主要领域：
- 开关电源：在开关电源中，SI4455DY 能够有效地控制电源的开关状态，确保低能量损耗和高效率运作。
- 工业自动化：该器件在自动化控制系统中，用于电机驱动和其他高电流负载的高效切换。
- 电子设备：在家用和消费电子产品中，SI4455DY 可用于多个应用，如电池管理、电机驱动和功率分配。
- LED驱动：其高效的开关能力使得其在LED驱动电路中非常合适，可以提升整个 LED 系统的工作效率和可靠性。
4. 性能优势
- 低导通损耗：SI4455DY 的导通电阻相对较低，即使在较高电流下，其功耗也非常小，确保了更高的效率。
- 广泛的工作温度范围：-55°C 到 150°C 的宽广温度范围使得该器件非常适合高温和恶劣环境下使用。
- 适应性强：其高电压和电流承受能力，意味着在多种应用场景中均能稳定运行。
- 小封装尺寸：采用的 SOIC-8 封装使其在电路板上占用空间小，有助于设计紧凑的电子产品。
5. 结论
总的来说，SI4455DY-T1-GE3 是一款具有卓越电气特性和可靠性的 P 通道 MOSFET，对于需要高电压、高效率和低导通损耗的应用场合，这款产品提供了理想的解决方案。凭借其在开关电源、工业自动化以及LED驱动中的广泛适用性，它已成为现代电子设计中不可或缺的一部分。选择使用 SI4455DY-T1-GE3，将为用户提供优秀的性能保证和长久的稳定性。