SI1031R-T1-GE3

产品概述：SI1031R-T1-GE3 MOSFET

概述

SI1031R-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）生产的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 SC-75A 封装。凭借其卓越的电性能和广泛的应用场景，该器件广泛应用于电源开关、马达控制和信号控制等领域。这款 MOSFET 能够在 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围内稳定运行，适合各种严苛环境下的应用。

电气特性

SI1031R-T1-GE3 具有以下重要电气参数：

• 漏源极电压 (Vdss): 该MOSFET 的漏源电压额定值为 20V，使其适用于低压电源设计。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时，该器件的连续漏极电流可达 140mA，确保其在常规工作条件下的高效运行。
• 栅源电压 (Vgss): 本器件的栅源电压最大为 ±6V，这使得其可以与多种逻辑电平兼容，适用性强。
• 导通电阻 (Rds On): 在 4.5V 的驱动电压下，SI1031R-T1-GE3 的最大导通电阻为 8 欧姆（对应 150mA 的漏电流），表现出优秀的导通性能，能够有效降低功耗。

驱动特性

SI1031R-T1-GE3 的驱动特性同样亮眼：

• 驱动电压: 此 MOSFET 可在 1.5V 和 4.5V 的驱动电压下进行高效开关，有助于简化驱动电路的设计。
• 栅极电荷 (Qg): 栅极电荷在 4.5V 下最大值为 1.5nC，促进高速开关能力，有助于提高开关频率并降低开关损耗。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 在不同漏极电流 (Id) 条件下，阈值电压最大值为 1.2V（针对 250μA），确保 MOSFET 在相对较低的驱动电压下开始导通。

功率特性

SI1031R-T1-GE3 的功率耗散能力达到 250mW，这使得其能够在一定的功率范围内安全稳定运行。良好的热管理特性使其能在这个功率水平下产生较低的热量，延长组件寿命，提高整体系统的可靠性。

应用场景

该 MOSFET 适用于多种应用，包括但不限于：

• 电源开关：在开关电源（SMPS）和电池管理系统中用于控制电流的流动。
• 马达控制：可用于直流电机驱动和步进电机控制，实现高效能量转换。
• 信号开关：在各种电子设备中作为信号切换开关，提供快速响应和低损耗。

结论

综上所述，SI1031R-T1-GE3 P 沟道 MOSFET 由于其卓越的电气性能、高效的驱动特性以及广泛的工作温度范围，是一种理想的选择，适合用于各种电子应用。凭借 VISHAY 的品牌信誉和质量保证，该产品无疑能够满足严格的工业标准，助力新一代电子设计的实施。无论是在消费电子、工业控制，还是在汽车电子应用中，SI1031R-T1-GE3 都能够提供可靠的性能支持。