型号:

NX7002AKW,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-323
批次:5年内
包装:编带
重量:0.022g
其他:
NX7002AKW,115 产品实物图片
NX7002AKW,115 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 220mW;1.06W 60V 170mA 1个N沟道 SOT-323-3
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.12
3000+
0.095
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5Ω@100mA,10V
功率(Pd)220mW;1.06W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)430pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)17pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:NX7002AKW,115

一、产品简介

NX7002AKW,115 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商 Nexperia(安世)生产。该器件设计为表面贴装型,适用于各种电子应用中,特别是需要高效能和高可靠性的场合。其封装采用 SOT-323 尺寸,便于在空间受限的电路板上实现紧凑布局。

二、关键特性

  1. 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的 Vgs 条件下,最大导通电阻为 4.5 欧姆(在 100mA 的漏电流下测试),确保在工作时能有效降低功耗。
  2. 工作电压和电流: 最大漏源电压(Vdss)为 60V,最大连续漏极电流(Id)为 170mA,支持多种常见应用电源的需求。
  3. 驱动电压: 适合 5V 和 10V 的驱动条件,为设计者提供了灵活的选择,尤其是在逻辑电平信号驱动的情况下表现出色。
  4. 高工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,使其适用于极端环境条件下的应用,如汽车和工业设备。
  5. 低输入电容: 最大输入电容(Ciss)为 17pF @ 10V,提供更快的开关速度,有助于提高电路的响应速度和效率。
  6. 栅极电荷(Qg): 在 4.5V 的 Vgs 条件下,栅极电荷最大值为 0.43nC,适合高频率应用,有助于减少驱动功耗。

三、技术参数

  • 安装类型: 表面贴装型
  • 功率耗散: 220mW(环境温度下),1.06W(结温),为设备稳定运行提供保障。
  • Vgs(最大值): ±20V,确保器件在高电压干扰环境下依旧能够安全工作。
  • 门极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为 2.1V @ 250µA,确保器件在低电压条件下也能可靠开启。

四、应用领域

NX7002AKW,115 适用于以下应用场合:

  • 便携式电子设备: 由于其小巧的封装和低功耗特点,适合用于手机、平板电脑等设备。
  • 工业控制系统: 具有良好的温度稳定性和耐受性的特点,使它适合在工业控制和自动化设备中使用。
  • 电源管理: 能够高效地转换和调节电源,在电源管理电路中表现突出。
  • 汽车电子: 在苛刻环境下的可靠性使其成为汽车电子设备的理想选择,如电子控制单元(ECU)。

五、总结

NX7002AKW,115 是一款高效能和高可靠性的 N 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子设备和工业应用。它以其出众的电气性能、耐高温特性以及灵活的工作条件,成为设计者的理想选择。无论是在高频率开关应用,还是在要求低功耗的场景中,这款 MOSFET 都能提供理想的性能表现。选择 NX7002AKW,115,意味着选择了一种具备创新技术与坚固可靠性的解决方案。