型号:

MMDT5551-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:2年内
包装:编带
重量:0.015g
其他:
MMDT5551-7-F 产品实物图片
MMDT5551-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 160V 200mA NPN SOT-363
库存数量
库存:
54384
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.209
3000+
0.185
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA,1.0mA
工作温度-55℃~+150℃

MMDT5551-7-F 产品概述

一、产品简介

MMDT5551-7-F 是一款高性能的结合了 NPN 脉冲功能的双极晶体管(BJT),专为表面贴装组装而设计。其采用 SOT-363 封装,具有较小的占板面积,非常适合用于各种紧凑和高密度的电子设备中。该晶体管的工作电压高达 160V,输出电流可达 200mA,是处理高电压和中等电流应用的理想选择。

二、基本参数与特性

  1. 安装类型: 此器件采用表面贴装(SMD)设计,适合现代电子设备的自动化生产,并简化了焊接和布局过程。
  2. 集电极电流 (Ic): MMDT5551-7-F 的最大集电极电流为 200mA,适用于需高电流驱动的应用,比如开关电源、马达驱动和信号放大。
  3. 集电极截止电流 (ICBO): 该器件在集电极与发射极间提供极低的截止电流,最大值为 50nA,确保良好的电流放大性能和稳健性。
  4. 工作温度范围: MMDT5551-7-F 工作温度范围广泛,从 -55°C 至 150°C,适应各种严苛的工作环境,适合军事、航空航天及工业设备。
  5. 频率特性: 该晶体管能够达到高达 300MHz 的跃迁频率,适合用于高频开关和信号处理应用。
  6. 最大功率: 器件的最大功耗为 200mW,确保了在高负载条件下仍能正常运行。
  7. 击穿电压: 集射极击穿电压(Vce)高达 160V,提供了在高电压应用中的安全边际。
  8. 饱和压降: 在不同集电极电流下,如 5mA 和 50mA,最大 Vce 饱和压降为 200mV,表明其在开关状态下的高效转换能力。
  9. 直流电流增益 (hFE): 在 10mA 和 5V 的工作条件下,最小 DC 电流增益为 80,展现了其强大的信号放大能力。

三、应用场景

MMDT5551-7-F 的广泛应用范围包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其良好的频率响应和高电流能力,适合用于高效开关电源设计。
  • 信号放大: 可用作小信号放大器,在无线通信和音频设备中非常有用。
  • 马达驱动: 适合用于小型电机的驱动,能够有效处理高达 200mA 的电流。
  • 继电器驱动: 在控制电路中,MMDT5551-7-F 可以用于驱动继电器和其他高功率设备。
  • 消费电子: 由于其小型化设计,适合应用在手机、平板电脑及其他便携式电子设备中。

四、结论

MMDT5551-7-F 作为一款高性能的 NPN 三极管,其出色的电气特性与结构紧凑的封装设计使其成为现代电子产品设计中的重要元件。无论是在消费电子,工业控制,还是高频开关电源和信号放大等领域,MMDT5551-7-F 都能提供可靠的性能支持。对于工程师和设计师而言,这款器件不仅满足了高标准的电气要求,而且优化了空间布局,是创新电子产品开发不可或缺的助力。