型号:

IRLR024NTRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-252-3(DPAK)
批次:24+
包装:编带
重量:0.481g
其他:
IRLR024NTRPBF 产品实物图片
IRLR024NTRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 45W 55V 17A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.835
2000+
0.77
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,10A
功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)15nC
输入电容(Ciss@Vds)480pF
反向传输电容(Crss@Vds)61pF
工作温度-55℃~+175℃

IRLR024NTRPBF 产品概述

1. 产品基本信息

IRLR024NTRPBF 是来自英飞凌(Infineon)的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具备优良的电气特性和绝佳的热稳定性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及电机控制等领域。该器件采用TO-252-3(D-Pak)封装,便于表面贴装安装,适合高密度电路设计。

2. 主要电气参数

  • 漏源电压(Vdss):最大 55V,适用于多种电源应用,特别是需要承受高电压的场合。
  • 连续漏极电流(Id):最大 17A @ 25°C,提供强大的承载能力,满足高电流需求的应用。
  • 导通电阻(Rds(on)):典型值为 65毫欧 @ 10A,10V,低导通电阻意味着在导通状态下功耗低,有助于提高整体能效。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为 2V @ 250µA,确保快速开关响应,使其在低电压驱动下也能稳定工作。

3. 栅极电荷和输入电容

  • 栅极电荷(Qg):最大值为 15nC @ 5V,较小的栅极电荷特性有助于提高开关速度,降低开关损耗,适合高频率应用。
  • 输入电容(Ciss):最大值为 480pF @ 25V,较小的输入电容提高了开关响应速率,适合大多数PWM控制的应用场景。

4. 功率和热特性

  • 功率耗散(Pd max):最大可达 45W(Tc),该器件的高功率耗散能力适合需要高负载的电路设计,以确保器件在工作时的稳定性。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 175°C,广阔的工作温度范围使得该MOSFET适合于极端环境条件下的应用,可以在严苛的气候条件下稳定工作。

5. 应用领域

IRLR024NTRPBF 因其优异的电气特性和热性能,适合于以下多个应用场合:

  • 电源管理:包括电源转换及分配模块,为DC-DC转换器提供开关组件。
  • 马达驱动:能够高效控制直流电机或步进电机的启动、停止及调速。
  • 电动工具:为电动工具提供强大的驱动能力,确保其在高功率下的稳定工作。
  • 电池管理系统:在电池保护电路中用于隔离与连接,提高电池使用的安全性与效率。

6. 总结

IRLR024NTRPBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET,具有优良的热管理性能与电气效率,适合各种高功率和高电压的应用需求。无论是用于电源管理系统、马达控制,还是电池管理方案,该器件都能提供卓越的性能和可靠性,使设计工程师能够轻松开发出具有高效能和可靠性的产品。通过采用IRLR024NTRPBF,工程师不仅能提升产品性能,还能有效降低整体系统的能耗,从而为用户带来更大的经济效益。