描述：Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
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产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.8A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.2Ω @ 4.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）150W
类型N沟道
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.2 欧姆 @ 4.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）60nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1300pF @ 25V
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3
IRFPC40PBF 产品概述
产品名称: IRFPC40PBF
产品类型: N通道MOSFET
封装类型: TO-247-3
品牌: VISHAY (威世)
基本特性
IRFPC40PBF是一款高性能的N通道MOSFET，专为高压和高功率应用设计。其漏源电压（Vdss）可达600V，能够承受较高的电压负载，适用于各种电源管理和开关电路。该MOSFET在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）最大可达6.8A，此外，其最大功率耗散能力为150W，适合在高温和高功率条件下运行。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 600V
- 这使得IRFPC40PBF非常适合于高压应用，例如电源逆变器、照明设备和电动机控制。
连续漏极电流（Id）: 6.8A (在25°C时)
- 该参数表明在特定条件下，该MOSFET能够持续承受的电流能力，相对较高的电流承载能力使其更具适应性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 有助于确定何时MOSFET开始导通，适合需要精准控制开关的电路设计。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.2Ω @ 4.1A, 10V
- 较低的导通电阻可以减少在运行过程中的功率损耗，提高电路的整体效率。
栅极电荷（Qg）: 60nC @ 10V
- 这表明在驱动MOSFET开关时所需的栅极电荷量，较小的电荷量有助于提高开关速度。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 宽广的工作温度范围使该器件能够在极端的环境条件下工作，适用于不同行业的应用。
最大Vgs: ±20V
- 为MOSFET提供了良好的栅极驱动灵活性，增加了设计的自由度。
输入电容（Ciss）: 1300pF @ 25V
- 提供了良好的频率响应，适合高频驱动应用。
应用领域
IRFPC40PBF MOSFET的设计使其非常适合以下应用场景：
- 开关电源（SMPS）: 具有高效率和高可靠性，能够在动态负载条件下提供稳定的输出。
- 逆变器: 在光伏逆变器和电机驱动应用中，能够有效地转化和控制电力。
- 电动工具: 提供所需的功率和效率，延长工具的工作寿命。
- 工业自动化: 用于电动机控制和驱动电路中，提高系统的稳定性和性能。
结论
IRFPC40PBF是在现代电子设计中非常出色的N通道MOSFET，结合了高效率、高功率和广泛的操作范围。它的卓越性能使其成为高压和高流应用中的理想选择，适用于各种工业和消费产品。凭借其制造商VISHAY的信誉，用户可以信赖其持续的质量和性能，进而提升和优化其电子设计与应用。