型号:

IRF8010PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
批次:2年内
包装:管装
重量:2.861g
其他:
IRF8010PBF 产品实物图片
IRF8010PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 260W 100V 80A 1个N沟道 ITO-220AB-3
库存数量
库存:
2860
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.43
1000+
4.25
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,45A
功率(Pd)260W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)120nC
输入电容(Ciss@Vds)3.83nF
反向传输电容(Crss@Vds)59pF
工作温度-55℃~+175℃

IRF8010PBF 产品概述

基本信息

IRF8010PBF 是英飞凌(Infineon)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,它采用 TO-220AB 封装,具有卓越的电气性能和广泛的应用潜力。这款 MOSFET 主要用于高电压和高电流的开关应用,适用于电源管理、电动机驱动、直流-直流转换器等领域。

技术特性

  1. 电压与电流规格

    • 漏源电压 (Vdss):最高可达 100V,使其在高电压电路中表现出色。
    • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 环境下,IRF8010PBF 执行高达 80A 的电流,为重载条件下的可靠性提供保障。
  2. 导通电阻

    • 在 Vgs = 10V 时,导通电阻 (Rds On) 的最大值为 15 毫欧(@ Id = 45A),代表着低损耗特性,使其非常适合需要高效传输的应用。
  3. 栅极电压特性

    • Vgs(th) 的最大值为 4V(@ 250µA),该特性提供了良好的控制与驱动范围。
    • 栅极电荷 (Qg) 达到 120nC(@ Vgs = 10V),这表明在驱动电路中所需的开关能量较小,利于提高系统的工作效率。
  4. 输入电容

    • 在 Vds = 25V 时,输入电容 (Ciss) 的最大值为 3830pF,提供了良好的频率特性,适合高频开关应用。
  5. 功率耗散

    • IRF8010PBF 能够承受高达 260W 的功率耗散(在结温 Tc 下),支持了在高功率应用中所需的散热管理。
  6. 工作温度

    • 温度范围广泛(-55°C 到 175°C),允许其在各种极端环境下可靠工作。

封装与安装

该产品采用 TO-220AB 封装,方便通孔安装,适合在散热需求较高的设备中使用。该封装设计有助于快速散热,提高其长期稳定性和可靠性。

应用领域

  1. 电源管理

    • IRF8010PBF 可用于高级电源管理电路,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器等,以实现高效率和高功率密度。
  2. 电动机驱动

    • 其高电流处理能力和低 Rds On 特性使得该 MOSFET 在电动机驱动应用中表现出色,能够有效推动高功率电机工作。
  3. 汽车电子

    • 在汽车电子产品中,例如电池管理系统、动力转换器等,也能够得到广泛应用,尤其是在需要高可靠性的场合。
  4. UPS(不间断电源)

    • IRF8010PBF 在 UPS 系统中能够高效控制电源开关,确保电力供应的稳定性与连续性。

结论

综上所述,IRF8010PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适合多种高电压、高电流的电子应用。凭借其优异的导通电阻、较宽的工作温度范围和高功率处理能力,它在电源管理、电动机驱动及各种重负载应用中展现出极大的潜力。对于那些寻求高效率及可靠性的工程设计师和开发人员而言,IRF8010PBF无疑是一个值得选择的产品。