型号:

DXT790AP5-13

品牌:DIODES(美台)
封装:PDI5
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DXT790AP5-13 产品实物图片
DXT790AP5-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3.2W 40V 3A PNP PowerDI-5
库存数量
库存:
698
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.38
100+
1.1
1250+
0.984
2500+
0.929
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)3.2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@3A,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)20nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)450mV@3A,300mA
工作温度-55℃~+150℃

DXT790AP5-13 产品概述

产品简介

DXT790AP5-13是一款由DIODES(美台)公司推出的高性能PNP晶体管(BJT),专为要求严格的电子应用设计。该器件采用PowerDI™ 5封装,具有优异的热管理和电气特性,适用于高频开关和放大电路。这款三极管的设计目标是在高电流和高电压的工作条件下,保持良好的性能和可靠性,适合用于多种应用场景,包括电源管理、信号放大和开关电路等。

关键技术参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流(Ic):3A
  • 最大集射极击穿电压(Vce):40V
  • 饱和压降(Vce(sat)):在不同的Ib和Ic条件下,最大值为450mV,具体为在300mA和3A时测得。
  • 集电极截止电流(Icbo):最大值为20nA,确保在关闭状态下的能量损耗极低。
  • 直流电流增益(hFE):在10mA和2V的条件下,最小值为300,表明该器件在小信号放大应用中的良好增益特性。
  • 最大功率:3.2W,允许其在相对较高的功率下工作,适合各种严苛环境。
  • 频率响应:具有高达100MHz的跃迁频率,使其在高速数字应用中表现出色。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,广泛应用于极端温度条件下。
  • 封装类型:采用表面贴装型的PowerDI™ 5封装,便于自动化焊接和空间受限的设计。

应用领域

DXT790AP5-13晶体管的设计使其广泛适用于多种电子应用,包括但不限于:

  1. 电源管理:作为开关元件,DXT790AP5-13能够实现高效的电源转换和管理,适合于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器的设计。

  2. 信号放大:凭借其高hFE和低饱和压降特性,适合用于音频放大器和视频应用,能够处理小信号并提供高增益。

  3. 开关电路:在继电器驱动和负载开关中,DXT790AP5-13能够快速切换,提升系统的响应速度。

  4. 汽车电子:由于其宽广的工作温度范围和高峰值功率能力,适合用于汽车电子控制单元(ECU)以及其他严苛环境下的应用。

  5. 工业应用:在工业自动化和控制系统中,DXT790AP5-13可用作多种控制和驱动电路的核心元件。

总结

DXT790AP5-13是一款功能强大且性能优良的PNP三极管,通过其卓越的技术参数和灵活的应用场景,满足了现代电子设计中对高集电极电流、低饱和压降和高增益的需求。它的设计理念结合了可靠性和效率,使其成为各种应用的理想选择。开发人员在设计时可以充分利用该器件的特性,以提高整体系统的效率和可靠性。