型号:

DMP6023LSS-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.388g
其他:
DMP6023LSS-13 产品实物图片
DMP6023LSS-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 6.6A 1个P沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
3762
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.35
100+
1.81
1250+
1.57
2500+
1.5
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)26.5nC
输入电容(Ciss@Vds)2.569nF
反向传输电容(Crss@Vds)143pF
工作温度-55℃~+150℃

DMP6023LSS-13 产品概述

1. 基本信息

DMP6023LSS-13 是一款由 DIODES(美台)生产的高性能 P沟道场效应管(MOSFET),采用SO-8封装。这款器件专为需要高效率和低导通电阻的电源管理应用而设计。它的漏源电压(Vdss)为60V,最大连续漏极电流可达6.6A,适用于各种电子电路中的开关调节和功率控制。

2. 主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 6.6A(在25°C环境下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为3V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 25mΩ @ 5A, 10V
  • 最大功率耗散: 1.2W(在环境温度25°C下)
  • 驱动电压: 4.5V 至 10V
  • 工作温度范围: -55°C至150°C(TJ)
  • 封装类型: SO-8

这些参数使得 DMP6023LSS-13 成为多种应用场景的理想选择,尤其是在需要高电流和高电压的环境中。

3. 性能特点

DMP6023LSS-13的重要特性之一是其较低的漏源导通电阻(Rds(on))。在5A电流和10V的栅源电压下,导通电阻仅为25mΩ,这意味着该器件能够有效降低导通损耗,从而提高整体效率。在实际应用中,这对于延长电池寿命及减少热损耗至关重要。

此外,该MOSFET还具有宽广的工作温度范围,适应不同的工作环境,确保其在极端条件下的可靠性能。这种高热稳定性使其适用于汽车电子、消费类电子以及工业控制等领域。

4. 应用领域

DMP6023LSS-13 适用于多种电源开关和调节应用,如:

  • 电机驱动: 由于其承载能力和低导通电阻特性,广泛应用于电机控制电路中。
  • 电源供应: 该器件能够在电源转化及转换电路中有效地处理高电流,提升整体系统效率。
  • 自动化设备: 适合用于各种自动化控制系统中,提供高效的电源管理解决方案。
  • 消费电子: 广泛应用于智能手机、平板电脑等消费电子产品中,确保产品在高负载下运行平稳。

5. 封装与安装

DMP6023LSS-13采用紧凑的SO-8封装,这种表面贴装型设计节省了电路板空间,便于自动化装配。8-SOIC封装的设计使其在多层电路板中保持良好的电气性能,并方便后续的散热管理。

6. 结论

DMP6023LSS-13 是一款高性能的P沟道MOSFET,结合了理想的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻、尺寸紧凑和高温稳定性使其成为现代电子应用中的重要选择。无论是在电机驱动、电源供应还是消费电子领域,DMP6023LSS-13都能提供稳定高效的解决方案,为设计人员提供更多的灵活性和可靠性。