DMN67D8LW-7

产品概述：DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）提供。该器件特别设计用于高效的开关应用，适合各种电子设备中的功率管理与控制，具有优良的热性能和电气特性。

关键参数

1. 漏源电压（Vdss）：DMN67D8LW-7 的最大漏源电压为 60V，使其能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种应用场景。

2. 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该器件可提供240mA的连续漏极电流，这使得它能够处理常见的中等功率负载的需求。

3. 导通电阻（Rds On）：在10V的栅源电压下，该器件的导通电阻最大为5Ω（在500mA时），有助于降低功率损耗，提高效率。这意味着在实际应用中，DMN67D8LW-7 可最大限度地减少热耗散，提高系统的整体工作效率。

4. 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的测试条件下，阈值电压为2.5V，表明该器件能够在相对较低的驱动电压下开启，使其在不同工作条件下都能保持较好的性能。

5. 输入电容（Ciss）：该器件在25V下的输入电容值为22pF，这意味着它在开关频率较高的应用中，能够实现快速的开关特性。

驱动电压和栅极电荷

DMN67D8LW-7的最大驱动电压为±30V，提供了较大的输入电压范围，能够满足不同应用需求。此外，该器件在10V下的栅极电荷为0.82nC，有助于提高开关速度和降低驱动电流需求，适合高频率的开关应用。

功率耗散与工作温度

该MOSFET的最大功率耗散为320mW（在Ta条件下），使其能够在功率密度较高的环境中稳定工作。它的工作温度范围为-55°C ~ 150°C (TJ)，确保在极端环境下也能保持优良的性能。

封装与安装类型

DMN67D8LW-7 采用 SOT-323 封装，体积小巧，适合各种表面贴装应用。该器件的 compact 封装设计使得在空间受限的电路板上能够更加灵活地使用，同时减少了电路的总体占用面积。

应用场景

DMN67D8LW-7 是一款极为灵活的器件，广泛应用于各种电子产品中，包括：

• 开关电源 (SMPS)
• 电池管理系统
• LED 驱动器
• 电机驱动
• 家用电器
• 汽车电子设备
• 通信设备

结论

综上所述，DMN67D8LW-7 是一款在多个关键性能参数上表现卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优良的电气特性和较宽的工作温度范围，它成为了众多电子产品设计中不可或缺的基础元件。无论是在高效能的开关应用中，还是在对热管理和体积有严格要求的环境下，DMN67D8LW-7 都能为设计工程师提供可靠的解决方案。