型号:

DMN4010LFG-7

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI3333-8
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN4010LFG-7 产品实物图片
DMN4010LFG-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 930mW 40V 11.5A 1个N沟道 PowerDI-3333-8
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.34
50+
1.03
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)11.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@14A,10V
功率(Pd)930mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.81nF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN4010LFG-7 产品概述

产品简介

DMN4010LFG-7 是一款高性能的 N 通道场效应晶体管(MOSFET),隶属于 DIODES(美台)品牌,采用 PowerDI-3333-8 表面贴装型封装。这款 MOSFET 设计用于需要高效能和高可靠性的电子应用,广泛适用于电源管理、开关电源和电动机控制等领域。

主要规格

  • 导通电阻:在 14A、10V 时最大导通电阻为 12 毫欧。这样的低导通电阻确保了在高电流操作时拥有优良的热管理和效率。
  • 漏极电流(Id):在 25°C 下,允许的连续漏极电流为 11.5A,确保了在不同条件下的高效能表现。
  • 工作温度范围:器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(TJ),使其能够在严苛环境中稳定工作,适应多种工业和消费电子应用。

电气特性

  • 漏源电压(Vdss):该 MOSFET 的最大漏源电压为 40V,适合用于多种标准电压应用。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):在不同的漏极电流条件下,最大栅极阈值电压为 3V(@250µA),确保给定栅极电压下实现快速导通。
  • 输入电容(Ciss):在 20V 条件下,最大输入电容为 1810pF,有助于迅速响应快速开关信号,提升开关速度和效率。
  • 栅极电荷(Qg):在 10V 条件下,最大栅极电荷为 37nC,这一特性使其在高频操作中表现出良好的动态性能。

驱动电压

DMN4010LFG-7 的推荐驱动电压为 4.5V 至 10V。使用合理的驱动电压可以有效控制其导通状态和关断时间,优化电路性能。

应用场景

该 MOSFET 的设计使其非常适合在下列领域中的应用:

  1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)中,以实现高效的功率转换,降低能源损耗。
  2. 电动机控制:在电动机驱动电路中,用于控制电机的启停和速度调节,提升整体控制效率。
  3. 场效应开关:适用于各种电路中的开关应用,如 LED 驱动、逆变器及其他开关功能。

结论

DMN4010LFG-7 是一款可靠的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和高导电性,成为制造商在电源管理、开关电源及电动机控制等重要应用中的理想选择。其优越的设计和性能表现使其能够满足现代电子设备对效率和稳定性的日益增长的需求。选择 DMN4010LFG-7,您将获得高效及可靠的电子解决方案,助力您的产品在市场中占据竞争优势。