型号:

DMC2038LVT-7

品牌:DIODES(美台)
封装:TSOT26
批次:2年内
包装:编带
重量:0.061g
其他:
DMC2038LVT-7 产品实物图片
DMC2038LVT-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 800mW 20V 3.7A;2.6A 1个N沟道+1个P沟道 TSOT-23-6
库存数量
库存:
1586
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.407
3000+
0.38
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)168mΩ@1.8V,2.0A
功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)705pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

DMC2038LVT-7 产品概述

一、产品简介

DMC2038LVT-7 是一款高性能的双极性场效应晶体管(MOSFET),包括一个 N 沟道和一个 P 沟道管,专为电源管理和开关应用而设计。它的工作电压范围为 -55°C 至 150°C,能够在极端的温度条件下可靠工作,符合现代电子设备对高效能和低功耗的严格要求。

二、关键特性

  1. 漏源电压(Vdss): 此器件的漏源电压为 20V,适合多种低压应用。
  2. 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时,N 沟道的连续漏极电流为 3.7A,而 P 沟道电流为 2.6A,提供了良好的电流承载能力。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该器件在 1V 的阈值下表现出较低的开启电压,能够有效驱动逻辑电平信号。
  4. 漏源导通电阻: 在 4A 电流和 4.5V 的条件下,器件的漏源导通电阻仅为 35mΩ,确保了低功耗运行,极大地提高了效率。
  5. 最大功率耗散: 该产品在 25°C 环境下,最大功率耗散达到 800mW,显示出其良好的散热性能和稳定性。

三、结构与封装

DMC2038LVT-7 采用了现代表面贴装技术(SMD),封装形式为 TSOT-26,这种封装使得该器件在电路板上的占用空间更小,实现更紧凑的设计。此外,TSOT-26 封装的热性能也相对较好,适合于散热需求较高的应用场景。

四、性能参数

  • 栅极电荷(Qg): 该器件在 10V 的条件下,最大栅极电荷为 17nC,意味着在高速开关时,损耗较小。
  • 输入电容(Ciss): 在 10V 条件下,输入电容高达 530pF,低输入电容有利于提高开关速度,减小开关延迟。

五、应用场景

DMC2038LVT-7 适用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理: 在DC/DC转换器中,可用作开关元件,提高电源转换的效率。
  • 负载开关: 本器件能够在小型便携设备中控制负载的开关,提高系统的灵活性和响应速度。
  • 逻辑电平转换: 针对低电压逻辑电平信号的应用,DMC2038LVT-7 也是一个理想选择。

六、总 结

综合以上参数与特性,DMC2038LVT-7 在电源管理、信号开关和智能硬件等领域展示出良好的应用潜力。凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,使其成为电路设计师和工程师在开发新产品时值得推荐的选择。同时,来自 DIODES 品牌的技术支持和质量保障,使得该器件在市场中具有较高的竞争优势。