PMV35EPER

产品概述：PMV35EPER P沟道MOSFET

一、基本信息

PMV35EPER是一款由安世(Nexperia)公司制造的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该元器件专为高效的电源管理和开关应用设计，其主要特点包括最大漏极电流为5.3A，漏源电压高达30V，同时具有优异的热稳定性和动态特性。

二、关键参数

1. FET配置与类型：

   • 类型：P沟道MOSFET
   • 配置：适用于低侧开关配置，可广泛应用于各类功率控制和负载开关电路。

2. 电气参数：

   • 连续漏极电流（Id）：5.3A（在环境温度为25°C时）
   • 阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA，确保器件在较低的栅极电压下开始导通，适合用于低电压控制应用。
   • 漏源电压（Vdss）：30V，适合多种中低压电源应用。
   • 最大导通电阻（Rds(on)）：在10V Vgs下为45毫欧，具备低导通损耗和高效率。

3. 电流与电压的动态特性：

   • 驱动电压：适用于4.5V和10V的驱动电压操作，适配不同的电源电压需求。
   • 栅极电荷（Qg）：19.2nC @ 10V，提供良好的开关特性和快速转换时间。

4. 热特性：

   • 功率耗散（P）：480mW（环境温度下），1.2W（结温下），适合多种热管理设计。
   • 工作温度范围：-55°C至150°C，确保在极端环境下仍能稳定工作。

5. 封装与安装：

   • 封装类型：TO-236AB，适合表面贴装(SMD)技术，便于自动化生产。
   • 封装尺寸小，特适合空间受限的电子设备设计。

三、应用领域

PMV35EPER MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、LED驱动以及各种便携式设备中，尤其适合需要高效能和可靠性的领域。凭借其低导通电阻、快速开关能力，以及适应高温环境的能力，使其成为消费电子、工业控制及汽车电子等多种应用的理想选择。

四、产品优势

1. 高效率：得益于其低导通电阻，PMV35EPER有效降低了开关损耗和静态功耗，从而提升了整个电路的能效。
2. 热稳定性：该器件的广泛工作温度范围和良好的散热特性使其在高温环境下运行稳定，适合苛刻的应用环境。
3. 灵活驱动：支持多种驱动电压选项，能够满足不同电源电压设计需求，简化电路设计。
4. 小型封装：TO-236AB封装为小型组件设计提供可能，为紧凑型设备节省空间。

五、总结

PMV35EPER P沟道MOSFET凭借其优异的性能优势和广泛的适用性，在现代电子设计中展现出不可或缺的重要性。无论是在便携式设备，还是在大功率应用中，PMV35EPER都能提供高效、稳定的解决方案，是设计工程师优选的器件之一。选择PMV35EPER，将助力您的项目实现更高的性能和效率。