描述：场效应管(MOSFET) 5W；34.7W 40V 40A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
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最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.29
3000+
2.2
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.6mΩ@10V,40A
功率(Pd)22.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)16.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.785nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)120pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
SIR422DP-T1-GE3 产品概述
SIR422DP-T1-GE3 是由知名电子元件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET。该器件具有出色的电气性能和热稳定性，使其在各种电子应用中成为理想的选择。以下是对 SIR422DP-T1-GE3 详细的参数分析和应用情境的阐述。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss)：SIR422DP-T1-GE3 的漏源电压能够承受高达 40V，适合用于需要中等电压操作的场合。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，该器件能够承载高达 40A 的连续电流，适用于高功率的应用。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 10V 驱动电压下，20A 的漏极电流下，其导通电阻仅为 6.6 毫欧。这一低导通电阻不仅降低了功耗，还提高了效率，是当今高效电源设计的必要考虑因素。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：其栅源阈值电压为 2.5V @ 250µA，使得该元件能够在较低的栅电压下实现导通，适应多种控制系统。
- 功率耗散：该器件的最大功率耗散达 5W（在 25°C 时），在结温 Tc 条件下则可达到 34.7W，显示出良好的热管理能力。
- 工作温度范围：该 MOSFET 支持广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，适合在恶劣的环境条件下工作。
封装和安装
SIR422DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种紧凑的表面贴装型设计有效地节约了PCB空间，同时增强了散热性能。其小巧的体积和良好的热性能使得它适合用于空间有限的电子设备中。
应用领域
由于 SIR422DP-T1-GE3 拥有优异的电气特性，广泛适用于以下领域：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器、线性调节器和开关电源中，作为高效的开关元件，以提高系统的整体效率。
- 汽车电子：其广泛的工作温度范围使其非常适合汽车应用，如电动驱动、汽车照明和动力系统控制。
- 工业控制：可用于工厂自动化、机器人和其他需要高度可靠性的工业应用。
- 消费电子：在移动设备和家用电器中，SIR422DP-T1-GE3 可以用做电源开关和信号调节器，以保证设备的稳定运行。
性能优势
使用 SIR422DP-T1-GE3 作为设计中的主要开关元件，可以显著降低电源损耗，提升电源转换效率。其低导通电阻和高电流承载能力确保了在高负载工作时的可靠性和稳定性。此外，优异的温度适应性，使得它在高温或极端环境下工作时，依然能够维持良好的性能。
结论
SIR422DP-T1-GE3 是一款具有高性能和可靠性的 N 沟道 MOSFET，提供了优秀的电气参数和广泛的应用潜力，特别适合于需要效率和稳定性的电子设计。无论是用于高功率的电源管理，还是在严苛的环境应用，SIR422DP-T1-GE3 都是一个值得信赖的选择。凭借 VISHAY 品牌的声誉，设计工程师可以放心地将该器件整合到他们的产品中，助力实现更高的设计目标。