描述：表面贴装型-N-通道-30V-35A（Tc）-5W（Ta）-37.9W（Tc）-PowerPAK®-SO-8
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产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® SO-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
栅源电压 Vgss±20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）26nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1220pF @ 15V
功率耗散（最大值）5W（Ta），37.9W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
产品概述：SI7686DP-T1-E3
简介
SI7686DP-T1-E3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的高性能 N 型 MOSFET，采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 设计旨在满足现代电子应用对高效率、高电流和高耐压的需求，广泛应用于电源管理、负载开关和其他高功率应用场合。
关键规格
- 封装类型：PowerPAK® SO-8
- FET 类型：N 通道
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 栅源电压（Vgss）：±20V
- 安装类型：表面贴装 (SMT)
- 最大连续漏极电流（Id）：35A（在 Tc 条件下）
- 功率耗散：
- 最大值：5W（环境温度 Ta 条件下）
- 最大值：37.9W（在 Tc 条件下）
- 导通电阻（Rds On）：最大值为 9.5 毫欧，@ 10V 和 13.8A。
- 门极电荷（Qg）：最大值为 26nC，@ 10V。
- 输入电容（Ciss）：最大值为 1220pF，@ 15V。
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C。
性能优势
SI7686DP-T1-E3 提供出色的电气性能，尤其是在导通电阻和漏源电流性能方面。其在 10V 栅源驱动下达到了仅 9.5 毫欧的导通电阻，显著降低了功率损耗，使其成为高效电源转换和驱动应用的理想选择。
该器件的高耐压（30V）和大电流承载能力（35A）使其适用于各种电流和电压需求较高的应用。此外，它的广泛温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在极端环境下稳定工作，对于工业和汽车电子等领域尤其重要。
应用领域
SI7686DP-T1-E3 适用于多种应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器：在高效电源管理系统中，MOSFET 起到开关的作用，确保能量的有效转化和转换。
- 电动汽车：用于电动车辆中的电池管理系统和电动机驱动电路，优化能量利用，增强续航能力。
- 负载开关：可实现负载的高效控制，适用于各种消费电子和工业应用。
- 电源开关：在开关电源和保险丝电路中，MOSFET 可实现快速和可靠的切换。
- LED 驱动：在 LED 照明控制中，可以极大地提高效率。
封装设计
SI7686DP-T1-E3 采用了 VISHAY 独特的 PowerPAK® SO-8 封装，兼具紧凑性和优良热性能，适合高密度电路板布局。这种封装不仅减少了安装面积，还通过改善散热性能提高了器件的整体可靠性。
总结
SI7686DP-T1-E3 是一款高效能的 N 型 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和适应广泛应用的能力，成为高电压和大电流需求场合中的热门选择。无论是在电源管理、工业控制还是电动汽车应用中，SI7686DP-T1-E3 都能为设计工程师提供可靠、高效的解决方案。随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，这款元件的应用前景将更加广泛，满足未来的智能电子产品创新需求。