SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3 产品概述

概述

SI7148DP-T1-GE3是由Vishay（威世）制造的一款高效能N沟道MOSFET，采用了先进的PowerPAK® SO-8封装。这款器件专为高开关频率和低功耗应用而设计，具有出色的导通性能和热管理能力。它的漏源电压（Vds）为75V，连续漏极电流（Id）在25°C时高达28A，非常适合用于需要强大功率和热性能的电子电路。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）：最大75V，允许在较高的电压下安全操作，适用于电源管理和电机驱动等应用。
• 连续漏极电流（Id）：高达28A（在25°C环境条件下），确保设备在严苛条件下仍能保持良好的性能输出。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V @ 250µA，表明MOSFET在非常低的栅电压下就能开始导通，这为低电压操作提供了便利。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在10V驱动电压和15A电流下，最大为11mΩ，能够有效降低开关损耗并提升电路效率。
• 最大功率耗散：系统可承受的功率为5.4W（在Ta=25°C下），和96W（在Tc条件下），确保其在高负载情况时不会过热。
• 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），适应于多种严苛环境条件，尤其适合汽车和工业应用。
• 驱动电压：支持最大10V的驱动电压，为简单的栅驱动电路提供了便利。
• 封装类型：表面贴装型的PowerPAK® SO-8，提供高密度设计和良好的散热性能。

应用领域

SI7148DP-T1-GE3广泛应用于各种电子设备和系统，特别是在：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、功率开关和电源供给系统，提高整体能效。
• 电机控制：在电动机驱动和控制系统中，作为开关元件实现高效能运作。
• 汽车电子：适合于汽车内部各种电子控制单元，满足严酷环境下的运作需求。
• 消费电子：广泛应用于如移动设备、蓝牙设备和家电等轻量级消费电子产品。

优势与特色

1. 高效能：低电阻和高电流能力使得SI7148DP-T1-GE3在高频开关条件下仍然保持良好的导电性和能效。
2. 可靠性：优秀的工作温度范围和高功率耗散能力，确保器件在长时间和严苛环境下的稳定运行。
3. 简易集成：表面贴装封装设计，便于自动化生产线的焊接，增加整体设计的灵活性与密度。

结论

SI7148DP-T1-GE3是一款多功能、高效能的N沟道MOSFET，适用于各种具有挑战性的应用场景。凭借其优越的性能参数和可靠的工作条件，SI7148DP-T1-GE3为设计者们提供了理想的解决方案，能够满足现代电路设计对效率、可靠性和体积的严苛要求。无论用于工业应用、汽车电子，还是消费电子，这款MOSFET都能够为您的设计增添强大的动力支持。