SI7145DP-T1-GE3

SI7145DP-T1-GE3 产品概述

一、基本信息

SI7145DP-T1-GE3 是一种高性能的 P 通道场效应管（MOSFET），由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。此款器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为需要高度集成和小型化设计的应用场景而设计。其电气性能优越，广泛应用于电源管理、逆变器、LED 驱动和电动汽车等领域。

二、技术规格

1. 漏源电压（Vdss）: SI7145DP-T1-GE3 的最大漏源电压为 30V，能够处理适度的高压工作环境，适用于大多数低压动力系统。
2. 连续漏极电流（Id）: 该器件在 25°C 时，连续漏极电流可达 60A（以 Tc 为温度基准），在高负载条件下也能够稳定工作。
3. 导通电阻（Rds On）: 在 25A 和 10V 驱动电压下，器件的导通电阻最大为 2.6mΩ，这保证了在导通状态下的低损耗，提升了能效表现。
4. 阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 2.3V @ 250µA，适用于较低的栅极驱动电压，从而简化了驱动电路的设计。
5. 功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 104W（在 Tc 条件下），并且在环境温度 (Ta) 为 25°C 时，其功率耗散限制为 6.25W，这对于热管理设计至关重要。
6. 工作温度范围: 该器件可以在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适合极端环境下的应用。

三、驱动与特性

• 驱动电压: SI7145DP-T1-GE3 支持的驱动电压范围为 4.5V 至 10V，提供灵活的电路设计可能性。
• 栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动下，栅极电荷最大为 413nC，这表明其切换速度快，适合高频应用。
• 输入电容（Ciss）: 在 15V 的漏源电压下，其输入电容可达 15660pF，影响器件的切换特性。

四、封装与应用

SI7145DP-T1-GE3 采用 VISHAY 的 PowerPAK® SO-8表面贴装封装，提供优良的散热性能和空间利用率。在现代电子设计中，该器件能够有效地满足小型化、高效能和高可靠性的需求。

五、应用场景

1. 电源管理: 在开关电源和 DC-DC 转换器中，SI7145DP-T1-GE3 可用作高效的开关元件，实现高效电能转换。
2. 电动汽车: 由于其高电流处理能力和广泛的工作温度范围，适合用于电动汽车中的电机驱动和电池管理系统。
3. LED 驱动: 本器件也可在 LED 驱动电路中应用，提供稳定的输出电流，保证 LED 的亮度和寿命。
4. 逆变器: 在风能和太阳能逆变器中，能够作为连接 DC 与 AC 的关键控制元件，提升系统的整体效率。

六、总结

总体来看，SI7145DP-T1-GE3 是一款性能卓越、应用广泛的 P 通道 MOSFET。其出色的电气特性、稳健的工作温度范围和合理的封装设计，使得该元件成为许多现代电子产品设计的理想选择。面对日益增长的电源管理需求以及对效率与小型化的追求，SI7145DP-T1-GE3 将继续扮演重要角色。