描述：场效应管(MOSFET) 3.7W 60V 6.5A 2个N沟道 SOIC-8
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梯度内地(含税)
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4.19
100+
3.49
1250+
3.18
产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.5A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻41mΩ @ 5.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.4W
类型双N沟道
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）41 毫欧 @ 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）840pF @ 30V
功率 - 最大值3.7W
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO
SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET 产品概述
产品概述
SI4946BEY-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款双N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有高性能和适应广泛应用的特点。它采用先进的半导体技术，提供优秀的导通性能和低导通损耗，适用于各种电源开关和电路转换应用。这款MOSFET的设计旨在满足现代电子产品对功率效率与空间节省的双重需求，尤其适合用于如DC-DC转换器、功率管理系统及马达控制等领域。
基本参数与性能
- 漏源电压（Vdss）: 最大可达60V，适用于中等电压的开关电路。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境条件下，最大可达6.5A，提供充足的电流处理能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 为3V@250µA，确保其适合逻辑电平控制，支持较低的控制电压范围。
- 漏源导通电阻: 在5.3A、10V下，最大导通电阻为41mΩ，意味着在工作时的功率损耗极低，提升了整体效率。
- 输入电容（Ciss）: 在30V条件下，输入电容最大为840pF，适合快速开关应用，减少开关损耗。
- 栅极电荷（Qg）: 最大为25nC@10V，降低了驱动电路的功耗，进一步提高了工作效率。
- 功率耗散: 最大功率耗散为3.7W，确保在高负载情况下持续稳定运行。
工作环境
SI4946BEY-T1-GE3具备广泛的工作温度范围：-55°C至175°C，使其适合在各种苛刻环境中运行。无论是在高温、低温或者高湿度的条件下，这款MOSFET都能够保持优异的性能，满足不同工业和汽车应用的需求。
封装与安装
此产品采用8-SOIC封装，体积紧凑，方便在PCB面板上进行表面贴装。8-SO封装的设计有效节省了电路板空间，使得产品在设计时更加灵活。其小巧的外形适合高密度的电子产品应用，如移动设备、消费电子和医疗设备等。
应用领域
- DC-DC转换器: 由于其高效率和低功耗特性，SI4946BEY-T1-GE3非常适合用于DC-DC转换器，能够显著提高系统的整体效率。
- 电源管理: 在电源管理系统中，这款MOSFET能够快速开关电流，优化电池使用，尤其在便携式设备中表现出色。
- 马达控制: 其高电流处理能力和快速开关特性，使其成为电动机控制、电力驱动系统中的理想选择，确保高效率与高可靠性。
总结
作为一款优质的双N沟道MOSFET，SI4946BEY-T1-GE3凭借其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围和灵活的封装设计，展现了在现代电子设备中不可或缺的重要性。无论是在提供高效电源管理，还是在稳定电流驱动等场景下，SI4946BEY-T1-GE3都能够满足各类应用的需求，是一项非常值得信赖的选择。