描述：场效应管(MOSFET) 3.1W 40V 9.2A 2个N沟道 SO-8
库存数量
库存：
1805
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.67
100+
3.89
1250+
3.54
2500+
3.39
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)7.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,10A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)580pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
SI4288DY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4288DY-T1-GE3是一款高性能的N通道MOSFET，由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)提供。该器件的主要特点为高效能、高可靠性和适应广泛的应用场景，使其成为现代电源管理和开关应用的理想选择。SI4288DY-T1-GE3采用表面贴装型(SMD)封装，具体为8-SO（小型封装），符合对板面空间要求严格的设计需求。
关键性能参数
电气特性：
- 漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该MOSFET持续漏极电流可达9.2A，这意味着它能够在高负载条件下稳定工作。
- 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为40V，使其适合中等电压应用。
- 导通电阻（RDS(on)）: 在10A和10V条件下，最大导通电阻为20毫欧，这非常低，有助于降低功耗和发热。
- 输入电容（Ciss）: 输入电容在20V时最大值为580pF，可实现快速开关，适用于高频应用。
工作特性：
- 工作温度范围: MOSFET器件能够在极端环境下操作，工作温度范围为-55°C至150°C，确保在严酷条件下提供持久的性能。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA的条件下，其最大栅极阈值电压为2.5V，适用于逻辑电平驱动的应用场景。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，最大的栅极电荷为15nC，这意味着在高频开关下能够实现快速的开关速度。
功率及功能：
- 最大功率消耗: 该MOSFET器件的最大功率为3.1W，在合理的散热条件下，可以实现安全稳定的运行。
- FET功能: SI4288DY-T1-GE3为逻辑电平门MOSFET，适合直接与TTL或CMOS等低电压信号电路进行兼容。
应用领域
由于其优异的电气特性和宽工作温度范围，SI4288DY-T1-GE3在多个领域中都有广泛应用，主要包括：
- 电源管理: 适用于开关电源、直流-直流变换器和电池管理系统。
- 电机驱动: 可以作为电机控制电路中的开关元件，特别适用于步进电机和无刷直流电机的驱动。
- 汽车电子: 适合在苛刻的汽车环境下使用，包括功率分配和电源切换。
- 消费电子产品: 包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理方案。
总结
SI4288DY-T1-GE3是一款功能强大且可靠的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻和广泛的应用范围，非常适合面临高电流和高频率条件的场合。其出色的性能和小巧的封装使其成为现代电子设计的重要组成部分。VISHAY作为全球领先的半导体解决方案提供商，确保了该器件的高品质和稳定性，使工程师在产品设计和开发中能够安心使用。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子产品中，SI4288DY-T1-GE3都能为最终应用提供卓越的性能支持。