描述：表面贴装型-N-通道-40V-27.2A（Tc）-3W（Ta）-6W（Tc）-8-SO
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1250+
6.42
产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 毫欧 @ 15A，10V
技术MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)27.2A（Tc）
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4200pF @ 20V
Vgs（最大值）±25V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）95nC @ 10V
漏源电压（Vdss）40V
功率耗散（最大值）3W（Ta），6W（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
SI4122DY-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SI4122DY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用表面贴装型封装（8-SO），专为高效电源管理和开关应用而设计。该 MOSFET 具有卓越的导通电阻、快速的开关速度和极宽的工作温度范围，使其在各种电子电路设计中均能发挥良好的性能。
2. 基本参数
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 4.5 毫欧，适用于 15A 和 10V 的条件下。这一低导通电阻值在高电流应用中有助于减少功耗与发热，提升整体系统效率。
- 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 下均可实现最佳 Rds(on)。
- 工作温度范围: 该器件可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适应严苛环境。
3. 电气特性
- 最大连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，器件可以承载高达 27.2A 的连续电流，此外可提供高达 6W 的功率耗散能力（在冷却条件下）。
- 漏源电压 (Vdss): 最大漏源电压为 40V，适合大多数中低电压场合。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的 Vgs 下，栅极电荷为最大 95nC，有助于快速操控及降低驱动功耗。
- 输入电容 (Ciss): 在 20V 的 Vds 下，输入电容最大为 4200pF，适合高速开关应用。
4. 重大优势
- 极低导通电阻: 该 MOSFET 的导通电阻极低，使得在高电流条件下的功率损耗降至最低，提升系统效率。
- 优秀温度稳定性: 宽广的工作温度范围可以确保器件在极端环境下可靠运行，适用于航空、汽车及工业自动化等要求高的领域。
- 高速切换性能: 快速栅极充电和放电特性使其非常适合在开关电源、DC-DC 转换器等高频应用中使用。
5. 应用场景
由于其优良的电气规格，SI4122DY-T1-GE3 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 提供高效的能量转换和管理，提升电池寿命及系统效率。
- 电机控制: 在电机驱动和控制系统中，应对快速开关和高负载条件。
- DC-DC 转换器: 适用于各种类型的 DC-DC 转换电路，提高转换效率及功率管理。
- 负载开关: 其低导通电阻和高载流能力使其成为理想负载开关选项。
6. 封装信息
SI4122DY-T1-GE3 采用 8-SO（Small Outline）封装，便于工厂自动化焊接，同时也有效节省PCB空间，提升电路密度，符合现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
结论
综合以上特点，SI4122DY-T1-GE3 是一款高效能、高稳定性的 N 通道 MOSFET，适用于诸多现代电子电路。由于其出色的导通性能与适应广泛的应用场景，使其成为设计工程师在电源管理和负载开关领域的不二选择。通过选择 SI4122DY-T1-GE3，工程师能有效提升电子系统的整体效率与可靠性。