SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3 产品概述

概述

SI2324DS-T1-GE3 是一种高性能的表面贴装式 N 通道 MOSFET，由威世（VISHAY）生产，具有极小的导通电阻和宽广的工作温度范围，适合高频和高效能应用。其设计旨在提供卓越的电气性能与可靠性，广泛用于电源管理、负载开关和信号处理等多个领域。

主要规格与参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• FET 类型: N 通道
• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 连续漏极电流 (Id): 2.3A（在 Tc 温度下）
• 最大功率耗散: 1.25W（环境温度 Ta），2.5W（晶体管结温 Tc）
• 导通电阻 (Rds On): 最大值 234 毫欧（在 1.5A，10V 时）
• 驱动电压: 10V（最大 Rds On），工作输入电压范围广
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C（晶体管结温 TJ）
• 输入电容 (Ciss): 最大值 190pF，在 50V 时测试
• 栅极电荷 (Qg): 最大值 10.4nC（在 10V 时）
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 2.9V（在 250µA 时）

封装与结构

SI2324DS-T1-GE3 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，这种结构使得其具有良好的热性能和高密度布局能力。该封装非常适合自动化生产，便于进行大规模组装。同时，SOT-23 封装小巧轻便，非常适合空间受限的应用场合。

性能优势

相较于传统的功率MOSFET，SI2324DS-T1-GE3 在以下几个方面优势明显：

1. 低导通电阻: Rds On 的最低值可具备更高的电流承载能力，同时减少能量损耗，使其在低功耗设计中十分有效。
2. 宽阈值电压范围: 其低阈值电压可确保设备在低电压下仍能正常开启，有助于提高整体电路的效率与稳定性。
3. 高工作温度范围: 在 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内，确保了其在苛刻环境下的可靠性和稳定性，适合于工业自动化、汽车电子等领域的应用。
4. 小型化设计: SOT-23-3 封装适合便携式设备或空间有限的电路板设计，为现代电子设备的小型化提供了便利。

应用领域

基于其出色的性能，可以预见 SI2324DS-T1-GE3 将在多个市场获得广泛应用，包括但不限于：

• 电源管理: 主要用于开关电源、DC-DC 转换器中，以提高功率转换效率。
• 负载开关: 作为负载开关，控制器件的启停，确保设备正常操作。
• 信号调理: 在数据采集和通信设备中，作为信号调理装置，提升信号质量。
• 汽车电子: 用于电动车辆和普通汽车的电源控制、电机驱动等应用。

总结

SI2324DS-T1-GE3 是一款高电压、高电流和低功耗的 N 通道 MOSFET，结合其优秀的电气性能、紧凑的封装和稳定的工作特性，使其在现代电子应用中更具吸引力。无论是在高效电源设计还是各种工业应用中，SI2324DS-T1-GE3 都是一个不可或缺的元件，为用户提供了可靠的解决方案。