描述：场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个P沟道 SOT-723
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5Ω@200mA,4.5V
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)50pF@10V
RTM002P02T2L 产品概述
一、产品简介
RTM002P02T2L是一款高性能的P沟道MOSFET，采用SOT-723封装，专为要求苛刻的电子应用设计。该器件具有最高漏源极电压20V和连续漏极电流200mA的能力，适用于各种低压电源管理和开关应用。RTM002P02T2L的主要特点包括较低的导通电阻、宽广的工作温度范围和优良的输入特性，理想用于提升电路的效率和稳定性。
二、关键规格
- 封装: SOT-723
- FET类型: P沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 20V
- 栅源电压 (Vgss): ±12V
- 连续漏极电流 (Id): 200mA（在25°C下）
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 1.5Ω @ 200mA，Vgs=4.5V
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值2V @ 1mA
- 输入电容 (Ciss): 最大值50pF @ 10V
- 功率耗散 (Pd): 最大值150mW（在环境温度下）
- 工作温度范围: 可达150°C（TJ）
三、应用场景
RTM002P02T2L主要应用于以下领域：
电源管理:
- 由于其较低的导通电阻和高电流容量，RTM002P02T2L适合用作电源开关，在DC-DC转换器、负载开关以及电源监控电路中有效分配电源。
低功耗设备:
- 该MOSFET能够在低电压下高效工作，特别适合便携式电子设备及其他低功耗应用，如安全设备、传感器等。
电机驱动:
- 在需要反向电流的应用中，如小型电机驱动，RTM002P02T2L可提供必要的电流控制与调节。
消费电子产品:
- RTM002P02T2L广泛应用于手机、平板电脑及其他消费电子产品中的开/关控制和功率管理，能够有效提升产品性能。
四、特点优势
低导通电阻:
- 最大导通电阻为1.5Ω，能够有效降低能量损耗，提高整体电路效率，特别是在高频操作时表现优异。
宽输入电压范围:
- Vgss最大值±12V，满足大多数应用需求，提供良好的耐受能力，确保了器件在各种工作环境下的稳定性。
高工作温度:
- 它的工作温度高达150°C，使得该器件在高温环境下仍能稳定工作，适合各种严苛的工业和汽车应用。
小巧封装:
- SOT-723封装，适应性强，适合现代电子设备的空间限制，也便于自动化生产。
五、总结
RTM002P02T2L作为一款高性能P沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性和灵活的应用场景，广泛适用于多种电子和电力管理系统。在现代电子设计中，合理利用这一组件，将显著提升电路性能、降低功耗，同时满足各种复杂应用的需求。
选择RTM002P02T2L，不仅是选择了一款优秀的MOSFET，也是为您的设计增添了更多的可靠性与灵活性，为产品的成功奠定坚实的基础。