描述：表面贴装型-N-通道-75V-33A（Tc）-80W（Tc）-DPAK
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产品参数
属性参数值
FET配置（电路类型）N沟道
漏极电流（Id, 连续）33A（Tc）
阈值电压Vgs(th)2.8V@1mA
封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）29 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）34nC @ 10V
Vgs（最大值）±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2000pF @ 25V
功率耗散（最大值）80W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK
产品概述：BUK6226-75C,118
BUK6226-75C,118是一款由安世半导体（Nexperia）推出的高性能N沟道MOSFET，专为要求高电流和低导通阻抗的电子应用而设计。该元件采用DPAK封装，适合表面贴装，具备优良的散热性能和结构强度，广泛应用于电源管理、电机控制和高效开关电路等领域。
主要参数：
- FET配置： N沟道，适合于高侧和低侧开关应用。
- 连续漏极电流（Id）： 在25°C的情况下，该器件的连续漏极电流达到33A（Tc），提供强大的电流承载能力，适应各种高电流输出需求。
- 漏源电压（Vdss）： 最大漏源电压为75V，使其能够在多种高电压应用中稳定工作，适合高压功率电路。
- 导通电阻（Rds(on)）： 在10V驱动下，最大导通电阻为29毫欧（@ 12A），极低的导通电阻使其在通电状态下发热量更小，效率更高。
- 阈值电压（Vgs(th)）： 测得的阈值电压为2.8V@1mA，表明该FET在相对较低电压下即可开启，优化了驱动电路的设计。
- 驱动电压： 为实现最大导通，推荐的驱动电压为10V，确保低的导通阻抗和高效率。
- 栅极电荷（Qg）： 最大的栅极电荷为34nC（@ 10V），该特性对于快速开关应用中的驱动电压敏感度非常重要。
- 功率耗散： 最大功率耗散为80W（Tc），确保器件在高负载条件下的安全运行。
- 工作温度范围： 适用的工作温度范围为-55°C至175°C，使其可用于极端环境下的应用。
应用场景：
BUK6226-75C,118 MOSFET被广泛应用于多个领域，特别是在需要高效率和高功率处理的场合，包括但不限于：
- 开关电源： 在DC-DC变换器和AC-DC适配器中用于开关控制，高效率提升系统整体性能。
- 电动机驱动： 在电动机控制中，作为开关元件，提供必要的驱动力，确保电机在不同负载下的稳定运行。
- 汽车电子： 在电池管理系统及其他汽车电子设备中，提供可靠的电流控制和负载开关功能。
- 消费电子： 在各类消费电子产品中如电视、冰箱等家电中，用于功率放大和高效电源管理。
总结
BUK6226-75C,118是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具有高电流承载能力、低导通阻抗及宽广的工作温度范围。这些特性使得BUK6226-75C,118成为高效能电源方案的理想选择。凭借其优良的电气特性和可靠的散热性能，BUK6226-75C,118能够满足现代电子产品对高性能、高效率的严格要求。无论是在工业应用还是日常消费电子中，它都是实现高效能电路设计的有力工具。