描述：场效应管(MOSFET) 500mW 100V 190mA 1个N沟道 TO-236-3
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200+
0.273
1500+
0.237
产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6 欧姆 @ 190mA，10V
技术MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)190mA（Ta）
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）20.9pF @ 25V
Vgs（最大值）±20V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.9nC @ 10V
漏源电压（Vdss）100V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 13µA
BSS123NH6327XTSA1 产品概述
产品概述
BSS123NH6327XTSA1是一款高性能的N沟道MOSFET，具有广泛的应用范围，适合用于各种电子电路中的开关和放大功能。它采用了表面贴装类型的封装形式SOT-23-3，能够轻松地集成到紧凑的电路设计中。该MOSFET的主要参数表现出其优越的电气特性，非常适合低电流和中等电压的应用。
电气特性
漏极电流与电阻：
- BSS123NH6327XTSA1的连续漏极电流（Id）可达190mA，适合驱动小型负载。其导通电阻（Rds On）在不同的驱动电压下表现良好，最大值为6欧姆（@ 190mA，10V），保证了器件在导通时的低功耗特性。
驱动电压和阈值电压：
- 此MOSFET的最高栅源电压（Vgs）为±20V，能够适应各种控制信号的需求。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V（@ 13µA），确保能够在较低的栅极驱动电压下开启，适合于逻辑电平驱动电路。
输入电容与栅极电荷：
- 当漏源电压（Vds）为25V时，其输入电容（Ciss）最大可达20.9pF，表明具有良好的频响特性，适合高频开关应用。此外，栅极电荷（Qg）最大值为0.9nC（@ 10V），有助于降低驱动电路的功耗。
散热与功率处理能力：
- BSS123NH6327XTSA1的功率耗散最大可达500mW（在25°C环境温度下），对应于该器件的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），使其能够在恶劣环境下稳定工作。
应用场景
BSS123NH6327XTSA1因其优越的性能特征，广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源：广泛应用于DC-DC转换器和电池管理系统中，实现高效的电源开关控制。
- LED驱动：在LED照明和显示设备中，用作开关元件，以实现精确的亮度调节和功率管理。
- 信号处理：用于信号放大和调制解调器电路中，提高信号处理的灵敏度和稳定性。
- 自动化设备：在各种嵌入式系统中，作为逻辑开关，控制继电器、马达或其他负载。
封装与品牌
BSS123NH6327XTSA1采用的SOT-23-3封装，使其在PCB布局上更具灵活性，并且适合高密度电子组件的设计。此外，产品由著名的半导体制造商Infineon（英飞凌）生产，凭借其在行业内的良好声誉和品质保障，使得该产品在可靠性和性能方面都能够满足高标准的要求。
结论
综上所述，BSS123NH6327XTSA1是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET，适合各种低到中等功率的电子应用。其优良的电气特性和稳定的工作性能使其成为设计工程师在进行电源管理、信号处理及开关控制时的理想选择。产品的高可靠性和灵活的封装设计进一步增强了其市场竞争力。