型号:

BCP5616TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:24+
包装:编带
重量:0.148g
其他:
BCP5616TA 产品实物图片
BCP5616TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 80V 1A NPN SOT-223-4
库存数量
库存:
410
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.471
50+
0.278
1000+
0.25
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)10@150mA,2V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)20uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BCP5616TA NPN 晶体管

基本信息

BCP5616TA 是一款高性能 NPN 型晶体管,专为各种电子应用而设计。它具有优越的电气特性和多种封装选项,使其成为广泛电路设计中的理想选择。该晶体管采用 SOT-223 封装,使得其在紧凑空间内也能够保持良好的散热性能。

关键参数

  • 类型:NPN
  • 最大集电极电流 (Ic):1A
  • 集射极击穿电压 (Vce):80V
  • 功率额定值:2W
  • 饱和压降 (Vce):在不同集电极电流下,最大值为 500mV @ 50mA,500mA
  • 集电极截止电流 (ICBO):100nA(最大值)
  • 直流电流增益 (hFE):最小值为 100 @ 150mA,2V
  • 跃迁频率:150MHz
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C (TJ)
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 供应商器件封装:SOT-223

应用领域

BCP5616TA 晶体管广泛应用于多种电子设备中,主要包括:

  1. 开关电路:由于其高集电极电流容量 (1A) 和较高的集射极击穿电压 (80V),该晶体管非常适合在开关模式电源 (SMPS) 和功率管理电路中使用。

  2. 线性放大器:对于需要大增益(hFE)和低噪声特性的音频和信号放大应用,BCP5616TA 提供稳定的增益表现。

  3. 高频应用:得益于其高跃迁频率 (150MHz),该晶体管在 RF(射频)应用中表现出色,例如在无线通信和信号传输设备中。

  4. 电平转换:其优异的电气特性也使其成为电平转换电路的理想选择,尤其在数据处理和通信接口中有效。

性能优势

  1. 高效率:BCP5616TA 的最大功率额定值为 2W,这使得它在处理高电流和高电压时表现出色,有效降低了热损耗。

  2. 宽工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度范围确保该器件在各种极端环境下均可可靠运行,适合航空航天、汽车电子及工业设备等领域。

  3. 高抗干扰能力:该型号在电流和电压波动中依然保持良好的性能,尤其适合于高干扰环境中的应用。

  4. 高可靠性:由 DIODES(美台)生产的 BCP5616TA 在品质控制上具有较高标准,确保产品的长期稳定性和可靠性,即使在恶劣工作条件下也能维持正常功能。

安装与兼容性

BCP5616TA 的 SOT-223 封装设计使其在空间有限的应用中具有良好的适应性。表面贴装类型便于自动化焊接,提高了生产效率。此外,该器件与多种主流控制器和微处理器兼容,便于集成到现有的电路设计中。

总结

总的来说,BCP5616TA NPN 晶体管以其高性能参数、宽广的应用领域和优越的可靠性,在现代电子设计中提供了卓越的解决方案。无论是用于开关电源、信号放大还是高频应用,它都能够满足设计者对性能、效率和稳定性的严格要求,是电子工程师和设计师值得信赖的选择。