描述：场效应管(MOSFET) 350mW；1.14W 60V 360mA 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）360mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻1.6Ω @ 300mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）350mW
类型N沟道
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)360mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.8nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）50pF @ 10V
功率耗散（最大值）350mW（Ta），1.14W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-236AB
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138P,215 产品概述
1. 概述
BSS138P,215 是一种高性能的 N 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由著名的半导体制造商 Nexperia（安世半导体）生产。此款 MOSFET 设计用于中低功率电子应用，适合电路开关、线性调节和信号放大等多种用途。凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围，BSS138P,215 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
2. 关键特点与参数
- 漏源电压 (Vdss): BSS138P 的漏源电压达到 60V，意味着其能够安全处理的线路电压相对较高，适合在高压环境下工作。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，其连续漏极电流为 360mA，能够满足大多数低功率电路对功率传输的需求。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为 1.5V @ 250µA，提供了较低的开启电压，有助于在低电压电源电路中实现高效率的开关操作。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的驱动电压下，BSS138P 的漏源导通电阻为 1.6Ω @ 300mA，此性能保证晶体管在导通状态下能够降低功耗和发热。
- 最大功率耗散: 在环境温度 25°C 时，最大功率耗散为 350mW，若以芯片温度为基准则可达到 1.14W。这一参数使其在设计中提供了灵活性，能够应对不同散热需求的应用场景。
- 工作温度范围: BSS138P 支持 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，确保其在极端气候和严苛环境中的可靠性。
- 封装类型: 该器件采用 SOT-23 封装，适合表面贴装（SMD），有助于节省 PCB 空间并简化自动化生产过程。
3. 应用场景
BSS138P,215 主要应用于以下几个领域：
- 开关电源: 在 DC-DC 转换器和电源管理电路中，MOSFET 可以有效地切换电源，减少能量损耗。
- 信号调节: 适用于信号放大和处理电路，BSS138P 可用于图像和音频信号的调节，提高系统的灵敏度和响应速度。
- 电动机驱动: 用于小功率电动机控制电路，可充当开关元件来控制电动机的启停。
- 负载驱动: 在灯光控制、继电器驱动等应用中，能够在高电压下安全平稳地驱动各种负载。
4. 设计和使用考量
在使用 BSS138P,215 时，设计师需要注意其漏源电流和温度特性，确保在实际应用中不超过其额定参数。此外，由于此器件的栅极电荷通常在 Qg = 0.8nC @ 4.5V，因此在高频开关应用中，设计者需要考虑驱动电路的能力，以确保 MOSFET 能够快速开关，降低开关损耗并提高效率。
结论
总的来说，BSS138P,215 是一款多功能的 N 型沟道 MOSFET，尤其适合在需要高效电源开关和信号调节的应用中。其广泛的工作温度范围、优良的电气特性和紧凑的 SOT-23 封装使其成为工程师和设计师们理想的选择。无论是在消费电子、智能家居还是工业控制，BSS138P,215 皆能满足现代电路的多种需求。