型号:

IRLL2705TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SOT-223
批次:22+
包装:编带
重量:0.194g
其他:
IRLL2705TRPBF 产品实物图片
IRLL2705TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 55V 3.8A 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存:
2
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.03
100+
1.57
1250+
1.37
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,3.8A
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)48nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)870pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:IRLL2705TRPBF MOSFET

一、产品简介

IRLL2705TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由全球领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)出品。该器件专为需要高效电源转换和控制的应用而设计,具备出色的电气性能和热管理特性,广泛应用于电源供应、驱动电路和电机控制等领域。

二、关键特性

  1. 漏源电压(Vdss): 此器件额定漏源电压为55V,确保在高压环境下的稳定工作。
  2. 连续漏极电流(Id): 在25°C环境下,IRLL2705TRPBF 可承受最大3.8A的连续漏极电流,优于同类产品,适应高负载需求。
  3. 导通电阻(Rds(on)): 在10V栅极驱动电压下,典型的导通电阻为40毫欧,极低的导通电阻有助于减少开关损耗,从而提高整体效率。
  4. 阈值电压(Vgs(th)): 该器件的阈值电压最大值为2V(@250µA),确保能够在较低的驱动电压下工作,适应多种控制信号。
  5. 栅极电荷(Qg): 在10V驱动下,栅极电荷为48nC,说明在开关过程中占用较少的驱动功率,有助于提升高频开关应用的效率。
  6. 输入电容(Ciss): 在25V下测得的最大输入电容为870pF,使其适合于高速开关和高频应用。
  7. 工作温度范围: 工作温度范围广泛,-55°C至150°C的耐温性使其在极端环境条件下依然稳定工作。
  8. 封装类型: 该器件采用SOT-223表面贴装封装,适合于空间受限的应用,易于自动化流水线封装和热管理。

三、应用领域

IRLL2705TRPBF广泛适用于以下领域:

  • DC-DC转换器: 由于其较高的开关频率和低导通电阻,适合用于高效率的DC-DC转换设计。
  • 电源管理: 可用于电源调节和电池管理系统,增强系统的电源效率。
  • 电机控制: 在电机驱动和控制中,提供稳定的电流和高效的切换性能。
  • 消费电子: 应用于各种消费电子产品中,帮助提高产品的电能使用效率。
  • LED驱动电路: 由于其低损耗特性,也可以用于LED灯驱动电路,提升灯具效率和寿命。

四、设计考虑

在设计电路时,使用IRLL2705TRPBF要注意以下几点:

  • 栅极驱动: 确保提供足够的栅极驱动电压,以达到最小导通电阻,确保电流承载能力。
  • 散热管理: 在最大功率耗散1W的情况下,合理设计散热措施以确保器件工作在安全的温度范围内。
  • PCB布局: 进行合理的PCB布局设计以降低寄生电感和电容,提高开关速度和稳定性。

五、总结

IRLL2705TRPBF是一款具备高性能指标的N通道MOSFET,专为高效率应用而设计,适合需要高切换速度和低导通电阻的电源管理及电机控制领域。其性能优越、适应广泛的工作温度范围和高达1W的功率耗散,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件。无论是采用于高频DC-DC转换、消费电子,还是其他电源管理应用,IRLL2705TRPBF都将提供可靠的支持。