型号:

IRFL9110TRPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOT-223
批次:23+
包装:编带
重量:0.167g
其他:
IRFL9110TRPBF 产品实物图片
IRFL9110TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W;3.1W 100V 1.1A 1个P沟道 SOT-223-3
库存数量
库存:
5148
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
2500+
1.3
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)690mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,0.66A
功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)200pF
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:VISHAY IRFL9110TRPBF

VISHAY IRFL9110TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于各种中低功率应用。该 MOSFET 的设计特点和技术规格使其能够在高达 100V 的漏源电压 (Vdss) 下安全稳定地工作,同时其连续漏极电流(Id)可达 1.1A,满足多种电子电路的设计需求。

1. 技术参数

1.1 安装类型与封装

IRFL9110TRPBF 采用表面贴装型 (SMD) 封装,具体为 SOT-223。这种封装设计不仅体积小巧,能够有效节省电路板空间,同时也便于自动化焊接和组装,提高生产效率。SOT-223 封装的热性能良好,能够在高功率密度的应用中保持较低的工作温度。

1.2 重要电气特性

  • 导通电阻 (Rds(on)):在典型工作条件下,IRFL9110TRPBF 的导通电阻最大值为 1.2 欧姆(在 10V 的栅极驱动电压和 660mA 的漏极电流下测试)。低 Rds(on) 表示该 MOSFET 在导通状态下具有较低的能量损耗,从而提高整体电路的能效。

  • 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的漏极电流下,最大栅极阈值电压为 4V,确保在较低的驱动电压下也能顺利导通。

  • 输入电容 (Ciss): 在 25V 条件下的最大输入电容为 200pF,低输入电容使得其在开关频率高的应用场合下仍然表现良好,能够快速开启和关闭。

  • 栅极电荷 (Qg): 当 Vgs 设定为 10V 时,栅极电荷最大值为 8.7nC,这一特性使其在高频开关应用中更具优势。

2. 应用领域

IRFL9110TRPBF 的核心应用包括但不限于:

  • 电源管理:可用于 DC-DC 转换器、线性稳压电源等电源电路,用于高效的电源开关和电流控制。

  • 电机驱动:能够用作电机控制电路中的开关元件,适用于无刷直流电机(BLDC)及步进电机驱动。

  • 负载开关:在负载管理系统中,IRFL9110TRPBF 可作为开关元件控制大功率负载的通断。其 P 通道特性对于负载的低侧开关解决方案尤为有效。

3. 可靠性与环境适应性

IRFL9110TRPBF 具备宽广的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,符合恶劣环境下的应用需求。该 MOSFET 的高温特性使其适用于工业环境、汽车电子和航天应用。

4. 结论

总的来说,VISHAY IRFL9110TRPBF 是一款功能强大、性能可靠的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高漏极电流及良好的热性能,广泛应用于电源管理和电机驱动领域。其便捷的封装形式及优异的电气特性,使其成为设计人员在选择合适的 MOSFET 解决方案时的理想选择。在当前高效能和节能减排的推动力下,IRFL9110TRPBF 的优势将为其在未来的市场中带来更多机遇。