描述：场效应管(MOSFET) 74W 500V 5A 1个N沟道 TO-220AB
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@10V,3A
功率(Pd)74W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)620pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
IRF830APBF 产品概述
概述
IRF830APBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，广泛应用于功率电子领域，特别适合高电压和中等电流的应用。其主要特点包括良好的漏源电压能力、较低的导通电阻和高功率耗散能力，使其在多种应用场合下表现出色。该器件采用 TO-220AB 封装，具备优异的散热性能和结构强度，适合通孔安装，便于集成到各种电路中。
基础参数
- 漏源电压 (Vdss): 500V
- 连续漏极电流 (Id): 5A (在 25°C 时)
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds On): 1.4Ω @ 3A, 10V
- 最大功率耗散 (P) (Ta=25°C): 74W
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
电气特性
IRF830APBF 的漏源电压达到 500V，使其适合高压应用，例如电源管理、逆变器和电动机驱动等场合。同时，它具有连续漏极电流 5A，适用于需要较大电流的电路。漏源导通电阻为 1.4Ω @ 3A，10V，这使得器件具有较低的功耗和发热，适合在高效率的电源转换中使用。
栅极阈值电压 (Vgs(th)) 为 4.5V，这表明该 MOSFET 在相对较低的栅电压下便可有效导通，降低了驱动电路的复杂性。同时，器件的栅极电荷 (Qg) 高达 24nC @ 10V，表明需要适度的栅驱动电流来确保快速切换，适合于高频开关应用。
应用领域
IRF830APBF 可广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其高功率耗散能力和高效率特性，该器件适用于开关电源设计。
- 逆变器: 可用作控制功率流动的开关元件，适合 DC-AC 逆变器和太阳能逆变器。
- 电动机控制: 在电动机驱动电路中使用，可以提供所需的开关能力以驱动各种电动机。
- 电源管理电路: 在需求各种电源管理方案的设计中发挥重要作用，例如电压调节器和电池管理系统。
封装与安装
IRF830APBF 采用 TO-220AB 封装，提供了良好的散热性能，特别是在较高功率应用中能够有效降低热积聚。这种通孔安装的封装设计使得器件易于集成进各类 PCB 布局中，同时能够承受相对较大的机械应力。
结论
总之，IRF830APBF 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET，具备卓越的电气特性和结构设计，非常适合高电压、中等电流的应用。其在开关电源、逆变器和电动机控制领域的广泛应用证明了其在工业和消费电子设备中的重要性。选择 IRF830APBF 将为您的电路设计提供可靠的开关解决方案，有助于提高系统性能和效率。