型号:

IRF3415PBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-220AB
批次:-
包装:管装
重量:2.75g
其他:
IRF3415PBF 产品实物图片
IRF3415PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 200W 150V 43A 1个N沟道 TO-220AB
库存数量
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.09
100+
5.07
750+
4.7
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)43A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V,22A
功率(Pd)200W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)200nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.4nF
反向传输电容(Crss@Vds)340pF@120V
工作温度-55℃~+175℃

IRF3415PBF 产品概述

概述

IRF3415PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),专为高压和高电流应用而设计。其优越的散热性能和小的导通电阻使其成为电源转换、马达驱动和高效开关电源等广泛应用的理想选择。作为 Infineon(英飞凌)公司的产品,IRF3415PBF 展现出卓越的可靠性和稳定性,适合严苛的工作环境。

主要特性

  1. 高电压与高电流承载能力: IRF3415PBF 的漏源电压(Vdss)达到 150V,并且在 25°C 时的连续漏极电流(Id)可达到 43A,充分满足高电压和大电流应用的需求。

  2. 低导通电阻: 该 MOSFET 在 10V 的栅极驱动电压下,针对不同的漏极电流(Id),其最大导通电阻(Rds(on))仅为 42 毫欧(@ 22A)。低导通电阻确保在工作时能显著降低热量产生,提高了系统的能效。

  3. 广泛的工作温度范围: IRF3415PBF 的工作温度范围为 -55°C ~ 175°C(TJ),适合各种高温或低温的工业应用,保证了即使在极端条件下也能正常工作。

  4. 高功率耗散能力: 这款 MOSFET 的最大功率耗散能力为 200W(Tc),在多种应用场合下表现出色,尤其是在较大功率负载的情况下。

  5. 快速开关能力: IRF3415PBF 的栅极电荷(Qg)最大值为 200nC(@ 10V),这使其具有较快的开关速度,满足高频应用的需求。

  6. 良好的输入电容特性: 输入电容(Ciss)在 25V 条件下的最大值为 2400pF,确保在高频信号下仍能保持良好的开关性能,减小开关损耗。

  7. 封装与安装: IRF3415PBF 采用 TO-220AB 封装,方便通孔安装,适合各种布局设计,且提供优良的散热性能。

应用领域

IRF3415PBF 由于其卓越的电学性能和广泛的适用性,广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 可用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及各种电源适配器,因其高效和低损耗的特性,有助于实现高效能的电源转换。

  2. 马达控制: 适合用于马达驱动器和工业电机控制电路,能够处理高电流的电机启动和运行。

  3. 通信设备: 可用于消费电子产品的电源模块以及基站的高效电源管理。

  4. 汽车电子: 在汽车动力系统中也有广泛应用,例如电动车的驱动系统、车载逆变器等。

  5. LED 驱动: 可用于高功率 LED 照明的驱动电路,高效驱动的能力能保证 LED 的高亮度和长寿命。

总结

IRF3415PBF 是一款优质的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围,适合多种高性能、高效率的电子应用。无论是一般的电源管理、还是严苛的工业马达控制,IRF3415PBF 均可提供可靠的解决方案,帮助工程师设计更高效、稳定的电子产品。通过持续的创新与改进,Infineon 荟萃了先进的半导体制造技术,为客户提供了更高性能的电子元器件选择。