型号:

FZT855TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:24+
包装:编带
重量:0.232g
其他:
FZT855TA 产品实物图片
FZT855TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3W 150V 5A NPN SOT-223-3
库存数量
库存:
143
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.18
1000+
2.08
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)5A
集射极击穿电压(Vceo)150V
功率(Pd)24W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)15@5A,5V
特征频率(fT)90MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)110mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT855TA 产品概述

FZT855TA 是一款高功率 NPN 型晶体管,其设计旨在满足多种电子应用的需求,尤其适用于需要低饱和电压和高电流输出的场合。该器件具有较高的额定功率和电压能力,使其在工业和消费电子领域都有广泛的应用潜力。

基本参数

  • 额定功率: 3W
  • 集电极电流 (Ic): 最大 5A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大 150V
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大 50nA

FZT855TA 的集电极电流 Ic 阈值达到 5A,这使得该晶体管能够驱动较大的负载,适合用于功率放大和开关电路。其集射极击穿电压 Vce 的最大值为 150V,提供了良好的耐压特性,能有效防止电压波动对电路造成的损害。

性能特点

  • 饱和压降 (Vce(sat)): FZT855TA 在不同的 Ib 和 Ic 条件下,表现出优越的饱和压降特性。具体来说,在 500mA 和 5A 的条件下,其 Vce 的最大饱和压降为 355mV。这一特性意味着在开关应用中,可以有效减少功耗,并提高电路的效率。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 1A 和 5V 的情况下,FZT855TA 的最小 DC 电流增益为 100,确保在信号放大应用中能够提供良好的线性性能。
  • 跃迁频率: 该晶体管具有高达 90MHz 的跃迁频率,适用于高频信号处理,广泛应用于RF (射频) 设备和开关电源等领域。

工作环境及封装

FZT855TA 能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 150°C。这种高温性能使得该元件可以在严苛的工业环境中正常工作。

在封装方面,FZT855TA 采用 SOT-223 表面贴装型封装,便于在现代电子设备中集成,特别适合于自动化生产。小巧的封装设计使其在空间有限的应用场景下更具优势。

应用场景

FZT855TA 的性能特点使其适合于以下应用:

  1. 开关电源: 由于其高电流能力和低饱和压降,该晶体管可用于开关电源输入和输出级,有效提高电源转换效率。
  2. 功率放大: 在音频放大器和射频放大器电路中,FZT855TA 的高增益特性可以被充分利用,以驱动大功率负载。
  3. 马达驱动: 由于其能够承受较大的集电极电流,FZT855TA 也可以用于直流马达驱动电路中,控制马达转速和启动/停止。
  4. 信号放大: 在传感器接口和调节电路中,FZT855TA 作为线性放大器可提供优异的增益性能,确保信号质量。

结论

总而言之,FZT855TA 是一款性能优越的 NPN 型晶体管,凭借其高功率、电流输出能力及低饱和压降,适合广泛的电子应用。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,FZT855TA 都展现出卓越的能力和可靠性,是设计师在选择晶体管时值得考虑的优质选项。