型号:

FZT653TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:25+
包装:编带
重量:0.232g
其他:
FZT653TA 产品实物图片
FZT653TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 100V 2A NPN SOT-223-3
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)3W
直流电流增益(hFE)55@1A,2V
特征频率(fT)175MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)7V
数量1个NPN

FZT653TA 产品概述

概述

FZT653TA是一款高性能的NPN型晶体管,专为各种电子电路设计,能够有效地在多种应用场景中发挥作用。其核心特性包括能够承受最大集电极电流(Ic)高达2A,额定功率为2W,并具有100V的集射极击穿电压(Vce),适合高电压和高电流的需求。

产品特点

  1. 高频率响应: FZT653TA具备175MHz的跃迁频率,能够支持高速开关应用,非常适合需要快速响应的开关电源和射频(RF)应用。

  2. 低饱和压降: 在200mA的集电极电流下,其饱和压降(Vce(sat))仅为500mV,这一特性在开关调节中可以有效降低功耗,提高电路的能效。

  3. 超小封装: FZT653TA采用SOT-223封装,这种小型表面贴装型设计便于在多样化的电路板上实现高密度布局,适合现代电子产品的紧凑设计需求。

  4. 宽工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C(结温),使其能够在极端环境中稳定工作,适用于工业、汽车和航空等应用。

  5. 良好的电流增益: 该产品在500mA集电极电流和2V电压条件下最小DC电流增益(hFE)为100,确保能够提供足够的放大效果,适合各种放大及开关应用。

应用领域

FZT653TA广泛应用于多种电子设备和电路中,包括:

  • 开关电源: 由于其高集电极电流能力和低饱和压降,FZT653TA非常适合用于开关电源设计,可提高系统的整体效率。

  • 音频放大器: 作为音频信号的放大器,FZT653TA能够提供高增益和良好的线性特性,使其成为音响设备中的优秀选择。

  • 继电器驱动: 因具备较高的集电极电流,FZT653TA 可用于驱动继电器和其他负载,特别是在需要高电流开关的场合。

  • 射频放大器: 其高频率特性使其适合用于RF应用中,如无线电发射和接收设备。

电气特性

  • 额定功率: 2W
  • 集电极电流 (Ic): 2A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止 (ICBO): 100nA
  • DC电流增益 (hFE): 最小100 @ 500mA,2V
  • 最大频率 - 跃迁: 175MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

封装信息

FZT653TA采用SOT-223封装,具有四个引脚,适合表面贴装技术(SMT)。这种封装方式提供了卓越的热管理性能和小型化设计的可能性,使其在现代电子产品设计中得到广泛应用。

总结

FZT653TA是一款功能强大、性能可靠的NPN型晶体管,具有出色的电气特性和设计灵活性。无论是在工业应用、消费电子还是其他高性能电子设备中,FZT653TA都能够满足设计师对于高集电极电流、低功耗和紧凑尺寸的需求。选择FZT653TA,意味着选择了一种能在严酷环境和多变需求下,依然能够保持稳定性能的理想解决方案。