型号:

IS62WV51216BLL-55TLI

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:TSOP-44-10.2mm
批次:24+
包装:托盘
重量:1.378g
其他:
IS62WV51216BLL-55TLI 产品实物图片
IS62WV51216BLL-55TLI 一小时发货
描述:ISSI,IS62WV51216BLL-55TLI SRAM 8Mb 3V
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:135
商品单价
梯度内地(含税)
1+
20.7
135+
20.14
产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步
存储容量8Mb (512K x 16)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页55ns
访问时间55ns
电压 - 供电2.5V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装44-TSOP II

产品概述:IS62WV51216BLL-55TLI SRAM

一、产品简介

IS62WV51216BLL-55TLI是一款由ISSI(美国芯成)公司推出的高性能静态随机存取存储器(SRAM)。该存储器具有8Mb(512K x 16)的存储容量,适合多种高速数据缓存和存储应用。凭借其高效率和稳定性,IS62WV51216BLL-55TLI成为嵌入式系统、消费电子、工业控制和网络设备等领域的理想选择。

二、关键特性

  1. 高存储容量:IS62WV51216BLL-55TLI具有8Mb的存储容量,能够满足高数据传输需求的应用场景。
  2. 高速操作:该SRAM的访问时间为55ns,写周期时间同样为55ns,允许快速读写数据,理想用于对速度要求严格的应用。
  3. 电压范围广:工作电压范围为2.5V至3.6V,使其能够与多种电源系统兼容,并确保高能效。
  4. 广泛的工作温度范围:工作温度范围为-40°C至85°C,确保在各种苛刻环境下的稳定性和可靠性。
  5. 表面贴装封装:采用44-TSOP II封装,具有小巧的体积和方便的安装方式,适合现代电子设备的小型化需求。

三、技术规格

  • 存储器类型:易失性存储器
  • 存储器格式:异步SRAM
  • 存储容量:8Mb(512K x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 写周期时间:55ns
  • 访问时间:55ns
  • 供电电压:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装类型:表面贴装型
  • 封装外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm宽)

四、应用领域

IS62WV51216BLL-55TLI SRAM非常适合多种应用领域,包括:

  1. 嵌入式系统:为微控制器和数字信号处理器(DSP)提供高性能的缓存存储。
  2. 消费电子:广泛应用于数码相机、智能手机、平板电脑等设备中的高速数据存储。
  3. 工业控制:在自动化设备和工业控制器中用于存储配置和临时数据,提高处理速度和响应时间。
  4. 网络设备:在交换机、路由器等网络设备中作为缓存,提高数据传输效率和设备性能。

五、总结

IS62WV51216BLL-55TLI是一款高性能、低功耗的SRAM存储器,它结合了大容量、高速性能和广泛的工作电压及温度范围,极大地适应了现代电子设备发展的需求。凭借其卓越的技术规格和可靠的性能,IS62WV51216BLL-55TLI成为各类数据密集型应用的理想选择。如果您正在寻找一种出色的SRAM解决方案,IS62WV51216BLL-55TLI无疑是一个值得考虑的优质产品。