描述：SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-bit 128K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II
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产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步
存储容量2Mb （128K x 16）
存储器接口并联
写周期时间 - 字，页55ns
访问时间55ns
电压 - 供电2.5V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装44-TSOP II
IS62WV12816BLL-55TLI 产品概述
一、产品简介
IS62WV12816BLL-55TLI是一款由美国芯成（ISSI）制造的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）。作为一款易失性存储器，该芯片具有2Mb的存储容量（128K x 16位），并采用44引脚的TSOP II封装，广泛应用于电子设备需要快速随机访问存储的场合。其优异的访问时间和写周期时间使其适合用于高性能计算和数据存储。
二、主要技术规格
- 存储器类型：易失性静态随机存取存储器（SRAM）
- 存储容量：2Mb（128K x 16位）
- 存储器格式：异步SRAM，允许快速读取和写入操作
- 存储器接口：并行接口设计，适用于多种微处理器和微控制器
- 写周期时间：55ns，为快速数据处理提供保障
- 访问时间：55ns，确保在高频应用中的实时数据处理能力
- 供电电压：2.5V至3.6V，适应不同电压要求的系统
- 工作温度范围：-40°C至85°C，高温环境下依然稳定运行
- 安装类型：表面贴装型（SMD），便于自动化生产和组装
- 封装/外壳：封装尺寸为44-TSOP II，适合高密度电路板设计
三、产品特性及优势
IS62WV12816BLL-55TLI所采用的异步SRAM技术意味着其不需复杂的时钟信号，从而简化了系统设计并提高了系统稳定性。这种类型的SRAM特别适合在对存取速度要求较高的应用中，如缓存存储、图象处理、网络数据包存储等场景。
此外，其支持的供电电压范围及工作温度范围使其能够广泛应用于各种工业设备、电信设备以及便携式电子设备中。
- 高性能：55ns的访问时间和写周期时间小于55ns，使得对数据的随机访问变得更加高效，这对于需要高速数据流动的应用场景至关重要。
- 宽广的工作环境：该SRAM存储器能够承受-40°C至85°C的极端温度，确保其在各种严苛工作环境下的可靠性。
- 便于集成：44-TSOP II封装适合现代电子产品的设计，能够在有限的空间内实现优质的性能，且表面贴装型使得组装过程更为便捷。
四、应用场景
IS62WV12816BLL-55TLI的应用非常广泛，包括但不限于：
- 计算机及外围设备：在PC、工作站和打印机中作为CACHE或主存储器。
- 网络设备：在路由器、交换机、网络存储设备中用作临时数据存储。
- 消费电子产品：如智能手机、平板电脑及电视机顶盒中的快速数据缓存。
- 工业控制系统：温控器、监控设备及各种自动化设备中的实时数据存储。
- 汽车电子：在汽车控制器和智能导航系统中提供可靠的存储解决方案。
五、总结
总的来说，IS62WV12816BLL-55TLI作为一款性能稳定的异步SRAM，不仅具有良好的数据存储能力和快速响应时间，而且具备广泛的工作温度和供电电压适应性。其封装形式便于现代电子设备的集成设计，适用于众多高性能、中等容量的应用场景，是电子设计工程师和应用开发者处理数据存储需求的理想选择。