IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF 产品概述

产品简介

IRFH5301TRPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由国际知名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。此款 MOSFET 采用 PQFN（5x6mm）封装，适合表面贴装（SMD）技术，广泛应用于各种高效能电源管理和开关应用场景中。该器件的设计专注于低导通电阻、高电流承载能力和优异的散热性能，能够在苛刻的工作条件下稳定运行。

技术参数

IRFH5301TRPBF 的关键参数包括：

• 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为 30V，适用于中低压电源电路。
• 漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，器件的连续漏极电流可以达到 35A，在更高的环境温度下（如 Tc）则可达到 100A，显示出其在高电流应用中的能力。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 1.85 毫欧（在 50A 电流下），这意味着在实际应用中损耗极低，有助于提高整体系统的效率。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 100µA 的测试电流下，栅极阈值电压的最大值为 2.35V，这保证了器件能够在较低的驱动电压下开始导通。
• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 时，栅极电荷为 77nC，相对较小的电荷值有助于快速开关，适应高频应用。
• 输入电容 (Ciss)：在 15V 的条件下，输入电容最大为 5114pF，此参数对于高频率的开关电源来说至关重要。
• 功率耗散：该器件的最大功率耗散为 3.6W（在 Ta 环境）和 110W（在 Tc 环境）条件下，这表明其具备良好的散热能力。

应用领域

由于其卓越的电气特性和高耐温度能力（-55°C 至 150°C），IRFH5301TRPBF 非常适合以下领域的应用：

1. 开关电源：广泛用于电源适配器、逆变器和 DC-DC 转换器，提供高效能与低能耗的输出。
2. 电机驱动：适用于各种电机控制应用，包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机，能够提供精确的控制性能和高效率。
3. 电力管理：在电力管理集成电路中，IRFH5301TRPBF 作为开关元件，能够优化能量传递并降低电源的整体功耗。
4. 消费电子：可以用于电池供电设备、便携式电子设备和其他需要高效率电流开关的消费品中。

封装与安装

IRFH5301TRPBF 的 PQFN（5x6）封装技术，使得器件具有极好的热传导特性和空间节省优势。其小型化设计允许在有限空间内实现高密度安装，适合现代电子产品对空间和散热的双重要求。表面贴装型的特点也使得其在自动化生产中能够实现更高的效率与一致性。

总结

IRFH5301TRPBF 是一款集高性能、低损耗和良好散热能力于一身的 N 沟道 MOSFET，其在开关电源、电机驱动和电力管理等领域具有广泛的应用前景。因为其优异的规格和可靠的品牌背景，IRFH5301TRPBF 是满足现代电子设备高效能需求的理想选择。