型号:

DXT5551P5-13

品牌:DIODES(美台)
封装:PDI5
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
DXT5551P5-13 产品实物图片
DXT5551P5-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2.25W 160V 600mA NPN PowerDI-5
库存数量
库存:
19799
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.981
5000+
0.93
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)2.25W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)80@10mA,5V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)50uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)65mV@10mA,1mA
工作温度-55℃~+150℃

DXT5551P5-13 产品概述

概述

DXT5551P5-13是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),由著名电子元件制造商DIODES推出。该器件以其出色的电气特性和宽广的应用范围,在多个电子设计中逐渐受到追捧。其封装形式为PowerDI™ 5,专为表面贴装设计,便于提升电路布局的密度,并具备良好的散热性能。

关键特性

  1. 电流和电压能力:

    • 集电极最大电流(Ic): 600mA,这使得DXT5551P5-13在驱动负载时具备出色的电流处理能力。
    • 集射极击穿电压(Vceo): 最高可达160V,适合高压应用,确保设备在严苛环境下的可靠性。
  2. 饱和压降:

    • 在5mA和50mA的Ic条件下,Vce饱和压降最大值为200mV,表明该器件在高效能运作时能够有效减少能量损耗,提高开关效率。
  3. 低截止电流:

    • 最大集电极截止电流(ICBO)为50nA,确保在关断状态下设备的功耗极低,为整体设计节省能源并降低发热量。
  4. DC电流增益:

    • 在10mA的基极电流(Ib)下,DC电流增益(hFE)最低可达80,意味着该晶体管在高增益应用中具有良好的性能表现,能有效放大信号。
  5. 频率响应:

    • 其跃迁频率达到130MHz,支持高速开关应用,使其在通信和数据处理领域中得以广泛应用。
  6. 宽工作温度范围:

    • 工作温度范围为-55°C至150°C的设计,使得DXT5551P5-13在极端温度环境下也能保持良好的性能,特别适合汽车、工业和航空航天等行业。

应用领域

DXT5551P5-13因其优异的电气特性被广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 由于其高电流和高电压能力,适合用作开关电源中的功率放大器。
  • 信号放大: 在音频放大器和射频放大器中,由于其高增益性能,可以有效提升信号质量。
  • 高频开关应用: 130MHz的频率响应使其能够在通信设备、无线电和数据传输中发挥关键作用。
  • 汽车电子: 在电动机控制、传感器信号处理等汽车电子电路中,可靠的性能与宽温范围使其成为理想选择。
  • 工业自动化: 适用于各类控制电路和执行器的驱动,满足工业环境下复杂控制需求。

封装与散热

DXT5551P5-13采用PowerDI™ 5封装,这是DIODES为高功率应用设计的方案。该封装不仅提供了优秀的电气连接性,还优化了散热系统,增强了器件的散热能力,确保长期高效运行。

总结

总的来说,DXT5551P5-13是一款功能强大的NPN晶体管,凭借其高电流及高电压特性、低饱和压降和宽温范围,适合各种高性能电子应用。其卓越的技术指标和稳健的性能使其成为设计工程师在开发现代电子设备时的理想选择,尤其是在要求高效率和高可靠性的应用中。