型号:

DMN2005LPK-7

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-3
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN2005LPK-7 产品实物图片
DMN2005LPK-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 450mW 20V 440mA 1个N沟道 X1-DFN1006-3
库存数量
库存:
733
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.546
200+
0.376
1500+
0.342
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)440mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)450mΩ@2.5V,10mA
功率(Pd)450mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs)100pC@10V
输入电容(Ciss@Vds)30pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@10V
工作温度-65℃~+150℃

DMN2005LPK-7 产品概述

1. 引言

DMN2005LPK-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能,该元器件满足现代电子设备对小型化与高效能的需求,特别适合用于开关、电源管理及其他需要高效能驱动的场景。

2. 关键特性

  • 表面贴装型封装: 该器件采用 X1-DFN1006-3 封装,具有出色的热性能和结构稳定性,适合在空间受限的电路板上使用。

  • 电流处理能力: DMN2005LPK-7 的连续漏极电流(Id)高达 440mA,在 25°C 的环境下运行,能够满足大部分小功率应用的需求。

  • 导通电阻(Rds On): 在 10mA 和 4V 的条件下,最大导通电阻为 1.5 欧姆,这意味着器件在导通时具有较低的能耗,有助于提高整体系统的效率。

  • 门电压(Vgs): 该 MOSFET 的门电压最大值可达 ±10V,最低导通电压为 1.5V,有助于广泛的驱动电压兼容性。

  • 漏源电压(Vds): DMN2005LPK-7 的最大漏源电压为 20V,可适用于中低压应用的需求。

  • 工作温度范围: 器件可在 -65°C 到 150°C 的环境下稳定工作,适合严苛的工业和汽车应用,提供更高的灵活性和适应性。

  • 功率耗散: 最大功率耗散为 450mW,使得其能够在高效运作的同时保持良好的热管理。

3. 应用场景

DMN2005LPK-7 适用于多种应用场合,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高效的导通特性和较低的导通电阻,该 MOSFET 适合用作开关控制元件,提高电源的效率。

  • 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中,而需高达 440mA 的瞬间电流,能有效地保护电池并延长其使用寿命。

  • 电机驱动: MOSFET 可作为电机驱动电路中的开关元件,特别是在需要快速切换和高可靠性的应用中。

  • LED 驱动电路: 由于其良好的线性特性,DMN2005LPK-7 也适合用于 LED 照明系统中的电流调节和控制。

4. 性能优势

与传统的 BJT(双极型晶体管)相比,MOSFET 在开关速度、耐压能力以及驱动电压上有明显的优势。这使得 DMN2005LPK-7 在高频开关应用中的表现尤为突出。它还具备较小的体积和重量,可以有效减少电路板的空间需求,为设计师提供更大的灵活性。

5. 总结

DMN2005LPK-7 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET,适用于各种电源管理及控制应用。其小型表面贴装封装、多种电气特性与广泛适应的工作温度范围,使其成为现代电子设计中不可或缺的组成部分。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制应用中,DMN2005LPK-7 都能为用户提供出色的性能和高效的能耗管理,是一款值得推荐的产品。通过合理的电路设计和应用,这款 MOSFET 将极大地提升电路的整体性能和可靠性。