描述：场效应管(MOSFET) 980mW 20V 4.2A 2个N沟道 SOT-26
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商品单价
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0.766
1500+
0.667
产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4.2A
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 8.2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）980mW
类型双N沟道
FET 类型2 N 沟道（双）共漏
FET 功能逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）28 毫欧 @ 8.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）856pF @ 10V
功率 - 最大值980mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26
产品概述：DMG9926UDM-7
DMG9926UDM-7是由美台半导体（DIODES）公司推出的一款高性能双N沟道场效应管（MOSFET），在市场上广泛应用于功率管理、电源开关、直流-直流转换器和其他需要高效率和小体积电子元器件的场合。该器件采用SOT-26封装，安装方便，是一种理想的表面贴装方案，适合现代紧凑型电路设计。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）：本产品允许的最大漏源电压为20V，适于低压和中等功率场合的应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，连续漏极电流可达4.2A，确保在动态负载情况下提供稳定的性能。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：栅源极阈值电压为900mV @ 250µA，表明该MOSFET能够由逻辑电平电压轻松驱动，便于与微控制器和数字电路搭配使用。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在8.2A和4.5V的条件下，最大导通电阻为28mΩ，这样低的导通电阻有效减少了在高电流条件下的功耗，提高了整体系统的能效。
- 最大功率耗散：该器件在环境温度为25°C时，最大功率耗散为980mW，适用于多种功率管理应用。
- 工作温度范围：DMG9926UDM-7的工作温度范围为-55°C到150°C（TJ），能够在严苛环境下稳定工作，适合广泛应用于汽车、工业设备及消费类电子产品。
电气特性
该MOSFET的电气特性设计考虑到了在不同工作条件下的性能表现：
- 栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为8.3nC @ 4.5V，意味着该器件能够快速切换，适合高频开关应用，减少了开关损耗。
- 输入电容（Ciss）：输入电容为856pF @ 10V，较低的输入电容使得该MOSFET在高频应用中能够获得良好的信号快速响应能力。
应用领域
DMG9926UDM-7的设计特点使其适用于多个应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：利用其优异的低导通电阻，显著提高电源转换效率。
- 电机控制：在电机驱动电路中提供稳定的控制，与微控制器兼容，适合执行PWM（脉宽调制）信号。
- LED驱动：由于其良好的导通特性，可用来驱动LED灯，维护亮度的一致性和功效。
- 小型电源开关：适合用于小型化设计，比如便携式电子设备的电源开关。
- 汽车电子：在汽车电气设备中作为开关元件，有助于降低系统温度并提高整体耐用性。
结论
综上所述，DMG9926UDM-7是一款高性能、低功耗的双N沟道场效应管，凭借其出色的电气特性和可靠的工作温度，在众多应用领域表现出色。其表面贴装的SOT-26封装使其极易集成到各种电子设备和电路板中，满足现代电子设计对空间和性能的双重需求。选择DMG9926UDM-7，无疑是在性能、效率和可靠性方面的明智选择。