DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13 产品概述

产品简介

DMG6898LSD-13 是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），采用8-SOIC封装，专为高效率和低功耗应用而设计。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关及其他偏置电路。

关键特性

• 封装类型：DMG6898LSD-13 采用标准的8-SOIC封装，尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），适合于表面贴装（SMT）技术，便于自动化生产的安装，节省空间。
• FET类型：它集成了两个N沟道MOSFET，便于在单一封装内实现多路功能，降低设计复杂性和外部元件数量。
• 漏源极电压（Vdss）：该器件的漏源极电压为20V，使其适合用于低至中压应用，特别是在开关电源和逆变器等场合中表现优异。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C时，DMG6898LSD-13的连续漏极电流可达到9.5A，能够轻松满足多种负载情况的需求。

电气特性

• 导通电阻：在9.4A与4.5V的栅极电压下，该器件的最大导通电阻仅为16毫欧，这意味着其在导通状态下的功率损耗极低，大幅提高能效。
• 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA下，该器件的最大阈值电压为1.5V，使其能够与低电压控制电路兼容，支持逻辑电平驱动，从而简化设计。
• 栅极电荷（Qg）：在10V下，该器件的栅极电荷最大为26nC，这为快速开关操作提供了良好的性能，降低了开关过程中能量损耗。
• 输入电容（Ciss）：输入电容最大可达1149pF（10V），这在高速开关应用中尤为重要，确保了良好的高频性能和响应能力。

散热特性

• 最大功率：DMG6898LSD-13的最大功率容量为1.28W，足以支持多数基于MOSFET的电路的正常工作，适合于对于功率管理及热设计有一定需求的场所。
• 工作温度范围：该器件工作温度范围为-55°C至150°C，支持在极端环境条件下稳定运行，非常适合汽车、航空航天及工业设备等要求苛刻的应用。

应用领域

DMG6898LSD-13凭借其卓越的电气特性和良好的散热能力，适合于众多应用场景：

• 开关电源：可用于DC-DC转换器和AC-DC适配器等，确保高效的电源转换。
• 电机驱动：能够高效控制各种电机（如直流电机、步进电机）的速度和转矩。
• 负载开关：其高电流能力使其成为各类负载开关的理想选择，能够实现快速的电源切换。
• 汽车电子：广泛应用于汽车电源管理、LED驱动及电池管理系统中，适应车载环境的严格要求。

结论

DMG6898LSD-13是一款功能强大且高效的双N沟道MOSFET，适合各种要求高功率和高效率的应用。凭借其小巧的封装和优异的电气性能，该器件为广泛的电子设计提供了极好的选择，以满足现代电源管理和负载控制的需求。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化领域，DMG6898LSD-13都能提供可靠的性能支持，是设计工程师的理想选择。