DMG2307L-7

产品概述：DMG2307L-7 P沟道场效应管(MOSFET)

概要

DMG2307L-7 是一种高性能的 P 通道 MOSFET，理想用于需要高效电力控制的多种电子设备和电源管理系统。具有优异的电气特性，包括最大漏源电压 30V、连续漏极电流 2.5A，以及漏源导通电阻低至 90mΩ，为电路设计提供了极大的灵活性和高效率。

主要特性

1. 泄漏电压 (Vdss): DMG2307L-7 具有最大漏源电压为 30V 的能力，使其适合多种低压应用。

2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下，该MOSFET支持2.5A的连续电流，从而能够应对严苛电流需求的电路设计。

3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为3V @ 250µA，确保在较低控制电压下能够启动，有利于简化驱动电路设计。

4. 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下，导通电阻最大为 90mΩ @ 2.5A，有助于降低开关损耗，提升整体效率。

5. 驱动电压: 本产品支持4.5V至10V的驱动电压范围，适应多种控制信号的需求。

6. 栅极电荷 (Qg): 其栅极电荷为最大 8.2nC @ 10V，这有助于减少驱动电路的功耗，特别是在高频率开关应用中。

7. 电容特性: 最大输入电容 (Ciss) 达到 371.3pF @ 15V，优化了开关速度，降低了频率响应延迟。

8. 功率耗散: 在环境温度为 25°C 时，器件最大功率耗散可达到 760mW，为可靠的热管理提供了保障。

9. 工作温度: DMG2307L-7 可以在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内工作，因此特别适合高温或低温环境的应用。

封装和安装

该产品采用 SOT-23 (TO-236-3, SC-59) 封装，具有紧凑的安装特性，适合于表面贴装技术 (SMT)，易于集成于高密度电子电路板中。

应用场景

由于其卓越的电性能，DMG2307L-7 可广泛应用于：

• 电源管理系统
• 直流-直流转换器
• LED 驱动电路
• 便携式电子设备
• 汽车电子
• 通信设备

总结

DMG2307L-7 是一种高效的 P 通道 MOSFET，结合了优良的电气性能和适应广泛应用需求的特性。其在可靠性，导通电阻，功率耗散及宽温特性方面的出色表现，使其成为电子设计师实现高效电力控制和管理的理想选择。依托于美台 DIODES 品牌的技术支持，用户可在设计中获得灵活性与信心，为电子产品的创新及其市场竞争力提供了扎实的基础。