型号:

IS61WV20488BLL-10TLI

品牌:ISSI(美国芯成)
封装:44-TSOP II
批次:-
包装:托盘
重量:0.49g
其他:
IS61WV20488BLL-10TLI 产品实物图片
IS61WV20488BLL-10TLI 一小时发货
描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 2M x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
62.42
1000+
61.02
产品参数
属性参数值
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM - 异步
存储容量16Mb (2M x 8)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页10ns
访问时间10ns
电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装44-TSOP II

IS61WV20488BLL-10TLI 产品概述

基本信息

IS61WV20488BLL-10TLI 是由 ISSI(美国芯成)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。其具有 16Mb 的存储容量,采用 44-TSOP II 封装,专为对速度和吞吐量有较高要求的应用场景而设计。这款 SRAM 以其优越的读写性能,广泛应用于计算机、网络设备、通讯和工业控制等领域。

关键参数

  1. 存储器类型:该存储器为易失性存储器,这意味着在断电后,存储在其内部的数据将会丢失。易失性存储器通常用于需要快速读写并且对数据持久性要求较低的场合。

  2. 存储容量:IS61WV20488BLL-10TLI 提供了 16Mb 的存储空间,具体为 2M x 8 的格式。这意味着它可以以 8 位为单位进行操作,适合多种数据处理需求。

  3. 存储器接口:该 SRAM 采用并联接口,便于与其他设备进行快速有效的连接。这种接口设计使得其在数据传输过程中能够实现高效能。

  4. 访问和写周期时间:IS61WV20488BLL-10TLI 的访问时间为 10ns,写周期时间同样为 10ns。这使得该产品特别适合对数据访问速度要求极高的应用,允许系统在极短的时间内完成读取和写入操作。

  5. 工作电压:该 SRAM 支持的供电电压范围为 2.4V 至 3.6V,兼容 2.5V 和 3.3V 的工作条件,能在多种系统架构中使用,且保证稳定的性能。

  6. 工作温度:其工作温度范围为 -40°C 至 85°C(TA),能够在极端环境条件下正常工作,适合工业等恶劣工作环境的应用。

  7. 封装类型:采用表面贴装(SMD)技术的 44-TSOP II 封装,这种封装使得 IS61WV20488BLL-10TLI 在 PCB 安装时具有良好的空间利用率和可靠性。

应用场景

IS61WV20488BLL-10TLI 的高性能特性使其适用于众多高要求的应用,包括但不限于以下领域:

  • 计算机及服务器:此 SRAM 可作为缓存存储器,提升计算机系统中数据处理的速度和效率,满足对快速响应需求的应用。

  • 网络设备:在交换机、路由器等网络设备中,使用 IS61WV20488BLL-10TLI 可显著提高数据包的处理速度,优化网络流量。

  • 通讯设备:在移动通信和无线设备的基站和接入网设备中,能够快速存取的缓存存储器是提升信号处理性能的关键。

  • 工业控制:在自动化控制系统中,由于其良好的工作温度范围和高耐用性,常被用于机器人控制器、数据采集系统等。

总结

IS61WV20488BLL-10TLI 是一款集高速度、大容量和可靠性于一体的异步 SRAM,能够满足多个行业严格的性能需求。其出色的性能参数和广泛的应用范围,使其成为电路设计师和系统工程师的理想选择。在未来的数据密集型应用场合,IS61WV20488BLL-10TLI 将继续发挥重要作用,推动技术的进一步发展与创新。