描述：场效应管(MOSFET) 540mW 20V 780mA 1个P沟道 SOT-23
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200+
0.371
1500+
0.337
3000+
0.315
产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）780mA
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻600mΩ @ 610mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）540mW
类型P沟道
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)780mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）3.6nC @ 4.45V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）97pF @ 15V
功率耗散（最大值）540mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装Micro3™/SOT-23
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRLML6302TRPBF 产品概述
产品简介
IRLML6302TRPBF 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，采用表面贴装型（SMD）封装，类型为 SOT-23 (Micro3)，由全球知名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。该器件广泛应用于各种电子电路和系统中，尤其适合需要提高效率和减少空间的紧凑型设计。
主要规格
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 连续漏极电流 (Id)（在25°C时）：780mA
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：1.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds On)：600mΩ @ 610mA, 4.5V
- 最大功率耗散：540mW（在25°C环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 最大栅源电压 (Vgs)：±12V
- 输入电容 (Ciss)：97pF @ 15V
- 栅极电荷 (Qg)：3.6nC @ 4.45V
应用领域
IRLML6302TRPBF 由于其优越的电气性能和可靠的工作特性，被广泛应用于以下领域：
- 便携式设备：由于其小巧的封装和低功率损耗，适合用于智能手机、平板电脑及其他便携式电子产品。
- 电源管理：在DC-DC转换器、开关电源及其他电源管理电路中充当开关元件，有效提高能效。
- 自动化系统：在各类自动化控制系统中，该器件可用于驱动负载、执行开关控制。
- 汽车电子：IRLML6302TRPBF 具备宽广的工作温度范围，适合用于苛刻环境下的汽车电子应用。
特性优势
- 高效能：其显著的低导通电阻 (600mΩ) 使得 IRLML6302TRPBF 在高电流条件下表现出色，有助于降低系统发热和能耗。
- 宽工作温度范围：长期使用在-55°C到150°C的工作温度范围使其适合各种恶劣环境。
- 小巧封装：SOT-23 封装设计为紧凑型布局提供了便利，是设计小型电路的理想选择。
- 高可靠性：英飞凌作为行业领先者，其产品经过严格的测试和验证，确保具备卓越的可靠性和长期稳定性。
结论
IRLML6302TRPBF 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和广泛的应用场景，成为现代电子设备中不可或缺的元件之一。无论是在新产品开发还是替换现有设计时，它都可作为可靠的选择，为设计师提供灵活性与效率。由于英飞凌对产品质量和技术的严格把控，IRLML6302TRPBF 必将在各类应用中满足工程师的高要求。
因此，对于追求高性能、小型化以及坚固可靠电子解决方案的客户来说，IRLML6302TRPBF 是绝佳的选择。