型号:

DMP6250SE-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.232g
其他:
DMP6250SE-13 产品实物图片
DMP6250SE-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.8W;14W 60V 2.1A 1个P沟道 SOT-223
库存数量
库存:
7634
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.76
2500+
1.68
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)300mΩ@4.5V,1.5A
功率(Pd)1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)9.7nC
输入电容(Ciss@Vds)551pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)19.1pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

DMP6250SE-13 产品概述

概述

DMP6250SE-13 是由知名厂商 DIODES(美台)推出的一款 P 沟道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应管),其具有优良的电性能和可靠性,广泛适用于负载开关、直流-直流转换器和其他电源管理应用。这款MOSFET设计简单,易于集成,是许多电子电路设计中必不可少的组件之一。

主要参数

  • 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V,能够满足大多数中低压 DC 应用的需求。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,DMP6250SE-13 可以承受最高 2.1A 的的连续漏极电流,适合于需要中等功率的应用。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此款器件的栅极阈值电压为 3V @ 250µA,确保其可以在较低控制电压下有效开关,适合低电压控制的场合。
  • 漏源导通电阻 (Rds(On)): 在 1A 和 10V 的条件下,其导通电阻为 250毫欧,低导通电阻意味着能量损耗小,提高了整体电路的效率。
  • 功率耗散: 在环境温度 25°C 时,器件的最大功率耗散为 1.8W,而在更高的结温 150°C 下,功率耗散可达 14W,适合于需要高热稳定性的应用场景。
  • 工作温度范围: DMP6250SE-13 在 -55°C 至 150°C 的宽广工作温度范围内可确保可靠的性能,适用于各种极端环境。

封装与布局

DMP6250SE-13 采用 SOT-223 封装,尺寸小巧,适合集成于空间有限的小型电路板上。SOT-223 封装具有良好的散热性能,满足其在高功率及高温工作环境下的散热需求。该器件的封装兼容性良好,可以方便地与其他表面贴装元件协同工作。

应用领域

DMP6250SE-13 的应用场景包括但不限于:

  1. 电源管理: 适用于降压转换器和升压转换器的开关元件。
  2. 负载开关: 可用于控制负载的启停,如电机驱动、LED 驱动等。
  3. 电池管理系统: 在电池充放电管理中,可作为开关来控制电流流动。
  4. 汽车电子: 由于其良好的工作温度范围和高功率处理能力,适合用于汽车电气系统中的负载控制。

性能优势

dmp6250SE-13 MOSFET 具有高效能、低功耗和高温稳定性,这些优势使其在工业、汽车及消费电子等领域成为了理想选择。其低导通电阻的特性减少了能量损耗,能够提升系统效率,从而延长设备的使用寿命。此外,其小型化设计和高集成度使得开发者能够在设计中节省空间,并简化生产流程。

综上所述,DMP6250SE-13 是一款卓越的 P 沟道 MOSFET,适合广泛的应用需求,具有良好的性能与可靠性,是现代电子电路设计中不可或缺的重要组件。无论是在电源管理还是其他需要开关功能的场合,DMP6250SE-13 都能提供优质的解决方案。