型号:

DMP6110SSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.112g
其他:
DMP6110SSD-13 产品实物图片
DMP6110SSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 60V 3.3A 2个P沟道 SOP-8
库存数量
库存:
5786
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.01
2500+
0.95
产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)105mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.2nC
输入电容(Ciss@Vds)969pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)44pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13 是 DIODES(美台)公司推出的一款高性能双P沟道场效应管(MOSFET),具有广泛的应用潜力,能够满足现代电子设备对高效能和低功耗的需求。本产品特别适合用于需要高效率开关控制和功率管理的电气应用,同时还具备卓越的热管理能力,是设计者们在选择功率开关和驱动器时的优先选择。

主要参数与性能

  1. 基本电气特性

    • 漏源电压(Vdss):该器件可承受最高60V的漏源电压,适合多种中等电压应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,DMP6110SSD-13可以持续提供3.3A的漏极电流,确保在功率要求较高的情况下依然能够稳定工作。
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):产品在达到3V时开始导通,适合低栅压驱动场景。
  2. 电阻与热特性

    • 导通电阻(Rds(on)):在4.5A和10V的条件下,其漏源导通电阻为105mΩ,代表该器件在导通时产生的能量损耗极小,有效提高整体功率效率。
    • 功率耗散:最大功率耗散可达1.2W,适合高密度集成的应用环境,有助于降低过热风险。
    • 工作温度范围:DMP6110SSD-13的工作温度范围从-55°C到150°C,确保其在严苛环境下也能稳定工作。
  3. 电介质特性

    • 栅极电荷(Qg):该器件最大栅极电荷为17.2nC,在10V偏置下,确保了驱动电路的高效性,尤其在高频开关应用中表现优异。
    • 输入电容(Ciss):在30V的条件下,最大输入电容为969pF,有助于降低驱动功耗,适合快速开关应用。

封装与安装

DMP6110SSD-13采用8-SOIC (0.154",3.90mm 宽)的表面贴装型封装设计,具备良好的集成性和空间节约特性,适合现代电子PCB板的设计要求。这种封装形式紧凑而且便于自动化生产制造,降低了整体生产成本。

应用领域

DMP6110SSD-13广泛应用于各种电子应用,包括但不限于:

  • 电源管理电路,如DC-DC转换器
  • 开关电源(SMPS);
  • 高效能的电机驱动;
  • 蓄电池管理系统;
  • LED驱动电路;
  • 移动设备和便携式电子产品。

结论

DMP6110SSD-13是一款具有很高市场竞争力的双P沟道MOSFET,不仅提供高达60V的运行电压、3.3A的连续电流,还具备低能耗、广泛的温度适应能力及优异的电压控制性能。这使得它在电源管理和开关控制应用中非常受欢迎。设计师可以放心地将其应用于多种电气设计,DMP6110SSD-13将帮助提升设备整体性能,是现代电子产品的理想选择。通过有效整合这一高性能元件,可以实现更优秀的产品设计,从而满足日益发展的市场需求。